电子束悬浮区检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 温度梯度分布：测量轴向/径向温度梯度（10^3-10^5 K/m），精度±5 K

2. 熔池形态分析：熔池深度（0.1-5mm）、宽度（0.5-20mm）及表面张力（0.1-1.5N/m）

3. 晶体取向偏差：XRD测定晶格畸变度（≤0.05°）及位错密度（10^3-10^6 cm^-2）

4. 杂质元素分布：SIMS检测B、C、O元素含量（ppb级），空间分辨率50nm

5. 冷却速率验证：高速热像仪记录凝固过程（10000fps），计算冷却速率误差（±3%）

检测范围

1. 单晶硅/锗材料：用于光伏组件及微电子器件的晶体缺陷分析

2. 高温合金：镍基/钴基合金涡轮叶片的定向凝固组织评估

3. 钛合金棒材：航空紧固件的β相转变温度（800-1050℃）测定

4. 金属间化合物：TiAl/NiAl系材料的层状结构完整性检验

5. 半导体化合物：GaAs、InP等III-V族材料的组分偏析检测

检测方法

ASTM E112-13 晶粒度测定标准（电子背散射衍射法）

ISO 17270:2020 电子束熔炼系统性能测试规范

GB/T 13303-2021 钢的过冷奥氏体转变曲线测定方法

ASTM E1245-03(2016) 金相图像夹杂物自动分析标准

GB/T 4334-2020 金属材料高温拉伸试验方法

检测设备

1. FEI Quanta 650 FEG场发射扫描电镜：配备EBSD探头，晶界角度分辨率0.1°

2. Cameca IMS 7f-Auto SIMS二次离子质谱仪：质量分辨率M/ΔM≥20,000

3. Bruker D8 ADVANCE XRD衍射仪：Cu靶Kα辐射（λ=0.15406nm），角度重复性±0.0001°

4. FLIR X8580SC高速红外热像仪：1280×1024像素@180Hz全幅帧频

5. Netzsch STA 449 F5同步热分析仪：升温速率0.001-50K/min，TG分辨率0.1μg

6. Oxford Instruments AztecEnergy EDS能谱仪：探测元素范围Be-Pu，能量分辨率127eV

7. Instron 5985万能试验机：载荷容量100kN，高温环境箱最高温度1200℃

8. Leica DM8000M智能金相显微镜：500万像素CCD，物镜NA值0.9

9. Agilent 7900 ICP-MS电感耦合等离子体质谱仪：检出限≤0.1ppt（In元素）

10. ZEISS Axio Imager.M2m自动偏光显微镜：透反射双模式，20倍物镜景深15μm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质