碳化硅功能电导试验

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 体材料电学性能检测：室温电阻率，高温电阻率，载流子浓度，载流子迁移率，电阻率均匀性。

2. 外延层电学性能检测：外延层厚度，外延层载流子浓度分布，外延层迁移率，界面态密度。

3. 晶片级参数检测：晶片宏观电阻率分布图，晶片微观电阻率均匀性，晶片翘曲度与电阻关系，晶片类型判定。

4. 接触特性检测：欧姆接触电阻率，肖特基接触势垒高度，接触热稳定性，接触界面形貌分析。

5. 介质层电学性能检测：氧化层界面态密度，氧化层固定电荷密度，介质层击穿电场强度，介质层漏电流。

6. 离子注入与活化检测：注入层薄层电阻，载流子活化率，结深分布，注入缺陷对电导的影响。

7. 高温电导稳定性试验：高温长时间工作后电阻率漂移，载流子浓度热稳定性，迁移率温度系数。

8. 器件静态参数检测：导通电阻，阈值电压，泄漏电流，体二极管正向压降。

9. 动态电导性能检测：开关过程中导通电阻变化，反向恢复电荷，栅极电荷特性。

10. 可靠性应力后电导测试：高温反偏应力后电参数漂移，高温栅偏应力后电参数漂移，功率循环后导通电阻退化。

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅同质外延片、碳化硅异质外延材料、碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管晶圆、碳化硅肖特基二极管晶圆、碳化硅结型场效应晶体管晶圆、碳化硅绝缘栅双极型晶体管晶圆、碳化硅金属半导体场效应晶体管晶圆、碳化硅功率模块封装样品、碳化硅分立器件封装样品、碳化硅基射频器件、碳化硅基光电器件、掺杂碳化硅样品、碳化硅晶锭、碳化硅抛光片、碳化硅研磨片、碳化硅外延层测试图形、碳化硅欧姆接触电极样品、碳化硅肖特基接触电极样品、碳化硅栅氧化层介质样品

检测设备

1. 四探针电阻率测试仪：用于快速无损测量半导体晶片或外延层的方块电阻与电阻率；其采用线性四探针法，通过恒流源与高精度电压表实现测量。

2. 霍尔效应测试系统：用于精确测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数；该系统通常在变温与变磁场环境下工作，以获得全面的电学参数。

3. 非接触式电阻映射仪：用于快速扫描并获得整个半导体晶片的电阻率二维分布图；其通过涡流或微波感应原理实现非接触测量，避免探针损伤样品。

4. 电容电压特性测试系统：用于分析半导体器件中氧化层厚度、界面态密度、掺杂浓度分布等参数；通过测量金属氧化物半导体结构在不同偏压下的电容变化来实现。

5. 半导体参数分析仪：用于对半导体器件进行全面的直流电流电压特性测试；可精确测量器件的导通电阻、阈值电压、泄漏电流、击穿电压等关键静态参数。

6. 传输线模型测试结构：专门用于测量和计算半导体工艺中金属与半导体之间形成的欧姆接触的比接触电阻率；通过测量不同间距测试结构的电阻值进行分析。

7. 变温探针台测试系统：用于在宽温度范围内对半导体器件或材料进行电学性能测试；该系统集成高低温控制单元与真空环境，可模拟器件极端工作条件。

8. 深能级瞬态谱仪：用于检测半导体材料及器件中的深能级缺陷、杂质浓度及其俘获截面；通过分析电容或电流对脉冲激励的瞬态响应来表征缺陷。

9. 二次离子质谱仪：用于对半导体材料进行深度方向的元素成分及掺杂浓度分布分析；通过离子束溅射并分析溅射出的二次离子来实现极高灵敏度的成分剖析。

10. 高分辨率X射线衍射仪：用于无损测定半导体单晶材料的晶体质量、晶格常数、外延层厚度与应变状态；其分析结果与材料的电学性能密切相关。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质