芯片元素试验

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.晶圆衬底材料元素分析：硅纯度及主要杂质元素分析，氧含量测定，碳含量测定，重金属杂质筛查。

2.薄膜层材料成分分析：介质层元素组成，金属互连层成分分析，阻挡层元素鉴定，外延层掺杂浓度测量。

3.掺杂元素分布与浓度检测：硼、磷、砷等掺杂剂浓度测定，掺杂均匀性评估，扩散深度分析。

4.表面污染与残留物分析：无机颗粒物元素鉴定，有机残留物元素线索分析，工艺化学品残留检测。

5.界面元素互扩散研究：金属与半导体界面反应产物分析，层间扩散元素鉴定，界面污染评估。

6.封装材料元素分析：塑封料无机填料成分，框架镀层元素组成，粘结材料元素筛查。

7.焊点与互连材料成分分析：焊料合金主量及微量元素，凸点下金属化层成分，界面金属间化合物鉴定。

8.关键位置微区元素分析：晶体管沟道区域元素分析，接触孔底部成分，缺陷点定位元素鉴定。

9.迁移金属污染检测：钠、钾、铁、铜等可动离子浓度测定，重金属污染筛查。

10.失效分析相关元素检测：腐蚀产物元素分析，电迁移导致成分变化，热点区域异常元素鉴定。

检测范围

硅抛光片、硅外延片、砷化镓衬底、氮化镓外延层、二氧化硅介质层、氮化硅钝化层、多晶硅栅极、钨插塞、铜互连线、铝焊盘、锡银铜焊球、金丝键合线、环氧塑封料、陶瓷封装壳、芯片粘接胶、导热界面材料、清洗后晶圆、切割道残留物、失效芯片样品、封装内部气氛采集物

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定样品中痕量及超痕量金属元素的含量；具备极高的检测灵敏度与宽广的动态范围。

2.二次离子质谱仪：用于对固体样品表面进行微区元素成分分析及深度剖析；可提供元素在三维空间上的分布信息。

3.俄歇电子能谱仪：用于分析样品最表面数个原子层的元素组成与化学态；特别适用于界面分析和薄层检测。

4.X射线光电子能谱仪：用于鉴定样品表面元素的种类、含量及化学价态；是一种重要的表面半定量分析手段。

5.辉光放电质谱仪：用于对固体导电材料进行从表面至内部的快速元素深度剖析；适用于高纯材料杂质普查。

6.飞行时间二次离子质谱仪：用于对样品表面进行高空间分辨率的质量成像分析；能同时获取所有质量数的信息。

7.能量色散X射线光谱仪：通常与电子显微镜联用，用于对微区进行快速的元素定性与半定量分析。

8.波长色散X射线光谱仪：用于对样品中主量及次量元素进行精确的定量分析；具有较高的分析精度与稳定性。

9.原子吸收光谱仪：用于测定溶液中特定金属元素的浓度；方法成熟，操作相对简便。

10.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于同时或顺序测定溶液中多种元素的含量；分析速度快，线性范围宽。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质