芯片离子分析

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 表面无机阳离子分析：钠离子、钾离子、钙离子、镁离子、铵根离子。

2. 表面无机阴离子分析：氯离子、氟离子、溴离子、硝酸根离子、硫酸根离子。

3. 有机酸根离子分析：甲酸根离子、乙酸根离子、草酸根离子、乳酸根离子。

4. 晶圆表面污染物分析：抛光后残留离子、清洗液残留离子、环境吸附污染物离子。

5. 光刻胶及相关化学品残留分析：光刻胶分解产物离子、显影液残留离子、剥离液残留离子。

6. 介质层与钝化层离子含量分析：二氧化硅层中钠离子、磷硅玻璃层中磷与硼离子、氮化硅层中相关离子。

7. 封装材料离子萃取分析：塑封料中卤素离子、环氧树脂固化剂残留离子、模塑料水解产物离子。

8. 键合与焊料离子污染分析：金丝键合区域污染物、焊锡膏残留离子、助焊剂活性剂离子。

9. 芯片内部可动离子电荷分析：氧化层中可动离子面密度、离子在氧化层中的漂移特性评估。

10. 工艺液体纯度监控：超纯水中痕量离子、化学机械抛光液离子成分、各类酸碱清洗液杂质离子。

检测范围

硅晶圆片、抛光片、外延片、中央处理器、图形处理器、存储器芯片、功率半导体器件、微机电系统器件、集成电路裸片、封装后的芯片单元、塑封颗粒料、环氧树脂模塑料、金丝与铜键合丝、焊球与焊锡膏、光刻胶成品、高纯化学试剂、晶圆清洗液、晶圆切割道残留物

检测设备

1. 离子色谱仪：用于分离和定量检测芯片表面萃取液中的多种阴离子和阳离子；具备高灵敏度、低检测限及良好的重现性，是分析可溶离子污染物的核心设备。

2. 电感耦合等离子体质谱仪：用于超痕量元素分析，可检测芯片材料中极低浓度的金属杂质离子；具有极低的检测下限和宽线性动态范围，适用于高纯材料评估。

3. 热脱附-离子色谱联用系统：用于分析芯片封装材料在加热过程中释放出的挥发性离子污染物；能够模拟高温工作环境，评估材料的热稳定性与离子释出风险。

4. 扫描电子显微镜与能谱仪：用于对芯片特定区域进行微观形貌观察和元素成分定性及半定量分析；可定位污染物聚集点并初步判断污染物成分。

5. 二次离子质谱仪：用于对芯片进行深度剖面分析，获取不同深度层次的离子分布信息；具有极高的表面灵敏度和深度分辨率，适用于界面污染研究。

6. 总有机碳分析仪：用于测量芯片清洗后液体的总有机碳含量，间接评估有机酸根等有机污染物的总体水平；操作快速，适用于工艺监控。

7. 毛细管电泳仪：用于分离和检测芯片提取液中的离子型物质，特别是某些有机酸根离子；分离效率高，样品消耗量少。

8. 微波消解仪：用于对固态芯片样品或封装材料进行前处理，将其中的目标离子完全溶解进入溶液，以供后续仪器分析；消解快速、完全，避免污染。

9. 超纯水制备与监测系统：用于制备和实时监测清洗、萃取等过程所用超纯水的电阻率及痕量离子含量，确保背景污染降至最低，保障检测数据准确。

10. 恒温恒湿萃取装置：用于在严格控制温度、湿度和时间的条件下，对芯片样品进行标准化的离子萃取，确保不同批次样品前处理条件的一致性。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质