半导体器件开关时间测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.导通延迟时间：测量从输入控制信号达到规定阈值到输出电流开始上升的时间间隔。

2.上升时间：记录输出电流从规定低百分比上升至规定高百分比所需的时间跨度。

3.关断延迟时间：测量从输入控制信号下降到规定阈值到输出电流开始下降的时间间隔。

4.下降时间：记录输出电流从规定高百分比下降至规定低百分比所需的时间跨度。

5.存储时间：评估双极型器件在关断过程中少数载流子复合所需的持续时长。

6.反向恢复时间：测量二极管从正向导通状态切换至反向阻断状态所需的恢复时长。

7.反向恢复峰值电流：测定在反向恢复电荷抽取过程中产生的最大瞬时电流数值。

8.开通能量损耗：通过积分计算器件在单次开通过程中由电压电流重叠产生的电能消耗。

9.关断能量损耗：通过积分计算器件在单次关断过程中产生的瞬态能量损耗。

10.栅极电荷特性：测量驱动栅极电压变化至目标电位过程中所需的总电荷量。

11.阈值电压：测定使半导体器件进入导通状态所需的最小控制极感应电压。

12.饱和压降：测量器件在完全导通并达到电流饱和状态下的正向电压损失。

检测范围

绝缘栅双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、电力二极管、晶闸管、氮化镓功率器件、碳化硅功率器件、双极型功率晶体管、门极可关断晶闸管、快恢复二极管、功率模块、高压整流器、光耦驱动器、瞬态电压抑制二极管、肖特基二极管、集成驱动电路、静态感应晶体管

检测设备

1.高带宽数字示波器：用于实时捕捉和分析高速开关波形的瞬态电压与电流变化过程。

2.脉冲信号发生器：提供精确的可调脉冲激励信号，用于驱动待测器件进行开关动作。

3.高压直流电源：为测试回路提供稳定的高压工作环境，模拟实际电力电子应用场景。

4.大电流恒流源：在测试过程中为负载回路提供稳定的额定工作电流。

5.双脉冲测试系统：通过特定的双脉冲序列评估器件在感性负载下的动态开关特性。

6.高频电流探头：采用非接触或低感抗方式感测电路中的瞬时电流变化并转化为电压信号。

7.高压差分探头：安全测量高电位差下的电压波形，确保高速信号采集的完整性。

8.半导体参数分析仪：用于精确测量静态电学参数并辅助进行动态性能的关联分析。

9.高低温环境试验箱：模拟不同温度工况，测试半导体器件在极端环境下的开关特性漂移。

10.低感抗自动化测试夹具：通过优化布线减小寄生电感，确保待测样品与测试回路的可靠连接。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质