光学投影曝光法检测
光学投影曝光法检测摘要：检测项目1.线宽精度：测量实际线宽与设计值的偏差（0.1μm）2.套刻误差：多图层对准精度（≤3nm）3.曝光均匀性：全视场照度差异（CV值＜1.5%）4.畸变率：投影图像几何变形量（≤0.005%）5.光强稳定性：曝光能量波动（1.5%/h）检测范围1.半导体晶圆（硅基/化合物基）2.光掩模版（石英基板铬膜结构）3.微机电系统（MEMS器件）4.显示面板（TFT-LCD/OLED阵列）5.衍射光学元件（DOE微结构）检测方法1.ASTMF533-09(2021)硅片几何尺寸测量规程2.ISO14648-
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
检测项目
1.线宽精度：测量实际线宽与设计值的偏差（0.1μm）
2.套刻误差：多图层对准精度（≤3nm）
3.曝光均匀性：全视场照度差异（CV值＜1.5%）
4.畸变率：投影图像几何变形量（≤0.005%）
5.光强稳定性：曝光能量波动（1.5%/h）
检测范围
1.半导体晶圆（硅基/化合物基）
2.光掩模版（石英基板铬膜结构）
3.微机电系统（MEMS器件）
4.显示面板（TFT-LCD/OLED阵列）
5.衍射光学元件（DOE微结构）
检测方法
1.ASTMF533-09(2021)硅片几何尺寸测量规程
2.ISO14648-2:2001显微光栅校准规范
3.GB/T26144-2010光掩模缺陷检验方法
4.GB/T30067-2013纳米级长度测量标准物质
5.SEMIP35-1108光刻机性能测试指南
检测设备
1.NikoniNEXIVV12：配备15nm分辨率CCD的自动影像测量系统
2.KLA-TencorArcher500：基于散射测量的套刻误差分析仪
3.ZygoNewView9000：白光干涉三维形貌仪
4.HitachiCG4100：电子束线宽测量系统
5.BrukerContourGT-X3：光学轮廓仪（0.1nm垂直分辨率）
6.LeicaDCM8：共聚焦显微镜（408nm激光光源）
7.VeecoNT9100：纳米级表面缺陷检测系统
8.OlympusOLS5000：激光扫描显微镜（1200万像素）
9.KeyenceVHX-7000：4K数字显微系统
10.CarlZeissAxioCSM700：共聚焦台阶仪
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
中析仪器 资质
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