单位位错检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.位错密度测定：测量单位体积内位错线总长度（cm/cm），误差范围≤5%

2.位错分布形态分析：表征滑移带/胞状结构占比（μm级分辨率）

3.位错类型鉴别：区分刃型/螺型/混合型位错（Burgers矢量测定）

4.位错运动特性测试：临界剪切应力测量（0.1-500MPa量程）

5.位错相互作用研究：相邻位错间距统计（2nm精度）

检测范围

1.金属材料：铝合金（AA6061-T6）、钛合金（Ti-6Al-4V）等

2.半导体材料：单晶硅（<100>晶向）、砷化镓（GaAs）晶圆

3.陶瓷材料：氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）烧结体

4.复合材料：碳纤维增强环氧树脂基体（CFRP）

5.高温合金：镍基超合金（Inconel718）

检测方法

ASTME112-13：晶粒度测定中的位错密度关联分析法

ISO24173:2009：透射电镜电子衍射法定量表征Burgers矢量

GB/T24177-2009：X射线衍射线形分析法测定位错密度

ISO16700:2016：扫描电镜电子通道衬度成像技术（ECCI）

GB/T35099-2018：原子力显微镜纳米压痕法间接评估位错运动

检测设备

1.FEITecnaiG2F20透射电镜：200kV场发射枪，0.19nm点分辨率

2.JEOLJSM-7900F扫描电镜：低电压ECCI模式（≤5kV）

3.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：Cu靶Kα辐射（λ=0.15406nm）

4.HysitronTIPremier纳米压痕仪：最大载荷10mN，位移分辨率0.02nm

5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：70倾角模式采集菊池带

6.ZeissLSM900激光共聚焦显微镜：405nm激光光源，Z轴分辨率120nm

7.ParkNX20原子力显微镜：非接触模式扫描（10μm10μm量程）

8.GatanK3IS相机：DED模式快速采集TEM动态过程（1600fps）

9.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台：高温原位测试模块（RT-1600℃）

10.HitachiHF5000场发射TEM：冷场发射源束流稳定性≤0.4%/h

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质