半导体残留检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.表面有机残留检测：光刻胶残留，溶剂残留，清洗剂残留，助焊剂残留，油污残留。

2.无机离子残留检测：氯离子残留，氟离子残留，硫酸根残留，硝酸根残留，铵根残留。

3.金属杂质残留检测：钠残留，钾残留，铁残留，铜残留，镍残留。

4.颗粒污染检测：表面颗粒数量，颗粒粒径分布，微粒附着情况，颗粒密度，异常颗粒识别。

5.表面清洁度检测：表面洁净度，残留总量，局部污染分布，可溶性污染物，非挥发性残留。

6.工艺化学品残留检测：酸液残留，碱液残留，蚀刻液残留，显影液残留，剥离液残留。

7.薄膜表面污染检测：氧化层表面残留，氮化层表面残留，金属层表面残留，介质层表面残留，保护层表面污染。

8.封装残留检测：封装助剂残留，切割液残留，模封材料析出物，焊接残留，引线框架表面污染。

9.挥发性残留检测：挥发性有机物残留，低分子析出物，热释放残留，气相污染物，腔体转移污染物。

10.湿法清洗后残留检测：漂洗后离子残留，干燥痕迹残留，水斑残留，清洗不完全残留，再沉积污染物。

11.高纯材料杂质残留检测：高纯试剂痕量杂质，高纯水残留物，气体带入杂质，容器析出物，过滤介质脱落物。

12.失效相关残留分析：腐蚀产物残留，迁移污染物，异常沉积物，界面附着残留，局部污染源追踪。

检测范围

硅片、外延片、抛光片、光刻胶涂覆晶圆、蚀刻后晶圆、清洗后晶圆、薄膜沉积片、芯片裸片、集成电路、功率器件、传感器芯片、封装芯片、引线框架、键合焊盘、探针卡接触部位、载具、晶圆盒、石英器件、工艺管件、超纯水接触部件

检测设备

1.气相色谱仪：用于分离和分析挥发性及半挥发性残留物，适合有机污染物定性定量分析。

2.液相色谱仪：用于检测不易挥发的有机残留及极性化合物，适合复杂残留体系分析。

3.离子色谱仪：用于测定阴离子和阳离子残留含量，适用于清洗后离子污染评估。

4.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量金属元素分析，能够检测极低含量的金属杂质残留。

5.傅里叶变换红外光谱仪：用于识别表面有机官能团和薄层残留物，适合材料表面污染判别。

6.拉曼光谱仪：用于分析微区残留成分和异常沉积物，适合局部污染物识别。

7.扫描电子显微镜：用于观察表面颗粒、沉积物及微观污染形貌，可辅助残留来源分析。

8.表面轮廓仪：用于测量表面残留膜层厚度和局部沉积特征，适合评估非挥发性残留状态。

9.总有机碳分析仪：用于测定提取液或清洗液中的有机物总量，反映整体有机污染水平。

10.颗粒计数器：用于统计液体或表面相关颗粒数量及粒径分布，适合洁净度控制检测。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质