芯片平整度分析

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.表面平整度：整体平面度，基准面偏差，最大高度差，平均高度偏差，局部不平度。

2.翘曲程度：全局翘曲量，角部翘曲，中部拱起，边缘下陷，翘曲方向分布。

3.厚度一致性：中心厚度，边缘厚度，多点厚度差，厚度均匀性，厚度波动范围。

4.表面轮廓特征：轮廓曲率，截面起伏，峰谷高度，轮廓偏移，轮廓连续性。

5.局部形貌缺陷：凹陷，凸起，塌边，鼓包，微区变形。

6.边缘几何状态：边缘平直度，边角变形，边缘起翘，边缘厚度变化，边缘缺口影响。

7.封装变形分析：封装体翘曲，引脚区域变形，基板耦合变形，贴装面偏差，热后形变。

8.热应力相关形变：升温变形，降温回弹，循环后翘曲变化，热膨胀差异引起的形貌变化，残余应力形变。

9.贴装适配性指标：共面性，接触面平整状态，焊接界面高度差，装配面匹配度，支撑面稳定性。

10.基底平面状态：芯片基底平整度，衬底弯曲度，载板平面偏差，粘接层影响区域平整性，支撑基面一致性。

11.表面微观起伏：微观波纹度，局部峰谷分布，细微起伏幅值，微区高度差，表面均匀起伏性。

12.制程前后对比：切割前后平整度差异，减薄前后形貌变化，封装前后翘曲变化，回流前后变形对比，老化前后平面状态变化。

检测范围

裸芯片、晶圆、切割芯片、减薄芯片、功率芯片、存储芯片、逻辑芯片、传感芯片、射频芯片、倒装芯片、封装芯片、多芯片组件、芯片基板、封装基板、引线框架封装件、球栅阵列封装件、晶圆级封装件、系统级封装件

检测设备

1.白光干涉仪：用于测量芯片表面三维形貌、平整度和微观起伏，适合高精度非接触检测。

2.激光共聚焦显微镜：用于获取表面高度分布和局部轮廓特征，可进行微区形貌分析与缺陷观察。

3.三维轮廓仪：用于测定整体平面度、翘曲量和峰谷高度，适用于多区域形貌扫描。

4.平面度测量仪：用于评估样品整体平整状态和基准面偏差，适合常规平整度检验。

5.光学显微镜：用于观察表面缺陷、边缘变形和局部起伏情况，可辅助形貌判定。

6.测厚仪：用于测量芯片不同位置厚度及厚度差，分析厚度一致性与均匀性。

7.影像测量仪：用于检测边缘几何状态、外形尺寸及变形区域分布，支持多点位置测量。

8.轮廓测量仪：用于获取截面轮廓、曲率变化和局部高度差，适用于边缘及线性区域分析。

9.热变形测试装置：用于评估温度变化条件下的翘曲行为和残余应力引起的形变特征。

10.真空吸附测量平台：用于稳定固定芯片样品，减少测量过程中的位移干扰，提升平整度测试重复性。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质