纳米芯片检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 结构尺寸检测：关键尺寸测量，线宽与线距测量，侧壁角与轮廓形貌分析，叠对误差测量。

2. 薄膜材料特性检测：薄膜厚度测量，薄膜均匀性评估，折射率与消光系数分析，薄膜应力测试。

3. 表面形貌与粗糙度检测：表面二维与三维形貌扫描，表面均方根粗糙度测量，表面峰值与谷值分析。

4. 元素成分与掺杂分析：表面及纵深元素成分定性定量分析，掺杂浓度分布测量，污染元素检测。

5. 晶体结构与缺陷检测：晶体取向与晶格常数分析，晶体缺陷识别与密度计算，应变状态测量。

6. 电性能参数检测：栅极氧化层完整性测试，晶体管阈值电压测量，漏电流测试，导通电阻分析。

7. 互联与接触特性检测：金属互联线电阻率测量，接触电阻测试，互连层间介质漏电评估。

8. 可靠性与寿命测试：电迁移测试，热载流子注入效应评估，经时介质击穿测试，高加速寿命试验。

9. 失效分析与缺陷定位：电路缺陷精确定位，物理失效点形貌观察，失效机理分析。

10. 热学特性检测：局部热点温度测量，热阻分析，材料热导率评估。

11. 光学特性检测：光刻胶感光特性分析，材料荧光光谱与拉曼光谱检测，光学常数测量。

12. 机械特性检测：纳米压痕硬度与模量测试，薄膜附着力测试，微区残余应力分析。

13. 洁净度与颗粒污染检测：表面颗粒尺寸与数量统计，洁净室环境监控，化学污染物分析。

检测范围

逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、射频芯片、功率器件、硅基晶圆、化合物半导体晶圆、光刻掩模版、旋涂薄膜、物理气相沉积薄膜、化学气相沉积薄膜、蚀刻后结构、化学机械抛光后表面、芯片凸点、硅通孔结构、临时键合与解键合界面、永久键合界面、三维集成芯片

检测设备

1. 扫描电子显微镜：用于高分辨率表面形貌观察与微区成分分析；具备二次电子与背散射电子成像能力。

2. 透射电子显微镜：用于原子尺度晶体结构、缺陷观察及元素面分布分析；配备能谱仪。

3. 原子力显微镜：用于三维表面形貌、粗糙度及纳米尺度力学性能测量；具备多种扫描模式。

4. 光学临界尺寸测量系统：用于非接触式快速测量芯片关键尺寸与膜厚；基于光谱反射或椭圆偏振原理。

5. 二次离子质谱仪：用于元素深度分布及极微量杂质成分分析；具有高灵敏度和纵深分辨率。

6. X射线衍射仪：用于材料晶体结构、应变、物相及织构分析；可进行高分辨率衍射测量。

7. 探针台与半导体参数分析仪：用于芯片电学性能参数测试；可进行直流与脉冲信号测量。

8. 聚焦离子束系统：用于芯片截面制备、电路编辑及失效点定位；结合气体沉积与刻蚀功能。

9. 热发射显微镜：用于芯片失效点定位，通过检测局部热量或光子发射锁定缺陷位置。

10. 纳米压痕仪：用于测量薄膜或材料的硬度、弹性模量等力学性能；可进行微区连续刚度测量。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质