碳化硅放射试验

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

一.辐照前基线表征：电阻率，载流子浓度，迁移率，厚度均匀性。

二.剂量响应特性：吸收剂量变化，剂量率影响，累积损伤趋势，阈值剂量判定。

三.电学参数漂移：漏电流变化，导通电阻偏移，击穿电压变化，阈值电压漂移。

四.载流子输运行为：少数载流子寿命，复合速率变化，电荷俘获效应，恢复时间变化。

五.晶体结构稳定性：晶格畸变，位错密度变化，空位缺陷增殖，残余应力变化。

六.缺陷与陷阱分析：深能级缺陷，界面陷阱密度，体缺陷分布，缺陷能级演化。

七.表面与界面状态：表面粗糙度变化，氧化层完整性，界面电荷积累，接触层稳定性。

八.绝缘与耐压保持：绝缘电阻，介质击穿特性，耐压保持能力，介质泄漏行为。

九.热学性能变化：热导率衰减，比热变化，热扩散能力，热阻增量。

十.机械完整性评估：微裂纹扩展，翘曲变形，边缘破损情况，局部剥离现象。

十一.环境耦合可靠性：高温辐照响应，偏压辐照稳定性，热循环后参数变化，湿热后绝缘保持。

十二.退化与失效分析：失效位置定位，局部烧蚀特征，截面异常观察，损伤路径判定。

检测范围

碳化硅单晶、碳化硅衬底、碳化硅外延片、碳化硅晶圆、碳化硅抛光片、碳化硅测试片、碳化硅外延结构样片、碳化硅二极管芯片、碳化硅整流器件、碳化硅场效应器件、碳化硅结型器件、碳化硅栅极结构样片、碳化硅功率模块、碳化硅封装样片、碳化硅陶瓷基板、碳化硅散热基片

检测设备

一.放射源辐照装置：用于提供稳定辐照场和可控剂量条件；开展不同暴露水平下的放射试验。

二.剂量监测系统：用于测定吸收剂量、剂量率和场分布均匀性；保证试验条件记录完整。

三.高低温试验箱：用于模拟不同温度条件下的放射响应；支持温度耦合可靠性评估。

四.半导体参数分析仪：用于测试漏电流、导通特性、击穿行为和电压漂移；评估辐照前后电学变化。

五.电容特性测试仪：用于测量电容变化、界面电荷和介质响应；分析表面与界面稳定性。

六.深能级缺陷分析系统：用于识别辐照引入的缺陷能级、复合中心和陷阱分布；评估缺陷演化情况。

七.晶体结构衍射分析仪：用于分析晶格变化、相组成稳定性和残余应力；判断结构损伤程度。

八.扫描电子显微镜：用于观察表面形貌、裂纹扩展和局部失效区域；支持微观损伤分析。

九.原子力显微镜：用于表征表面粗糙度、微区起伏和局部附着状态；评估辐照后表面完整性。

十.热导率测试仪：用于测定热传导能力、热阻变化和散热稳定性；分析放射作用对热学性能的影响。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质