可靠性氮化硅迁移测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.迁移速率：离子迁移速率，金属迁移速率，界面迁移速率。

2.电学稳定性：绝缘电阻变化，漏电流变化，击穿电压变化。

3.界面完整性：界面裂纹，界面剥离，界面扩散层厚度。

4.结构缺陷：孔隙率，针孔缺陷，微裂纹分布。

5.化学成分：元素组成，杂质含量，键合状态变化。

6.厚度均匀性：膜层厚度，厚度偏差，局部薄化。

7.应力迁移：残余应力变化，应力梯度，应力松弛。

8.热稳定性：热循环失效，热老化迁移，热膨胀失配。

9.湿热稳定性：吸湿变化，湿热迁移，湿热失效。

10.表面状态：表面粗糙度变化，表面能变化，表面污染物。

11.电场响应：电场加速迁移，电场诱导缺陷，电场击穿趋势。

12.寿命评估：加速寿命数据，失效模式判定，寿命外推。

检测范围

氮化硅薄膜、氮化硅涂层、氮化硅绝缘层、氮化硅钝化层、氮化硅介质层、氮化硅栅介质、氮化硅封装层、氮化硅衬底、氮化硅陶瓷、氮化硅基复合层、氮化硅微结构、氮化硅微器件样品

检测设备

1.电阻测试系统：测量绝缘电阻与漏电流变化。

2.击穿电压测试装置：评估介质击穿与电场失效趋势。

3.恒温恒湿试验箱：提供湿热应力条件加速迁移。

4.高温试验炉：进行热老化与热稳定性评估。

5.热循环试验装置：模拟温度循环引发的迁移与失效。

6.表面形貌测量仪：分析表面粗糙度与缺陷分布。

7.薄膜厚度测量仪：测定膜层厚度与均匀性。

8.成分分析仪：检测元素组成与杂质含量变化。

9.应力测量装置：评估残余应力与应力演化。

10.显微成像系统：观察界面缺陷与迁移路径特征。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质