半导体噪声测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

　　中析研究所可依据相应半导体噪声测试标准进行分析测试服务，亦可根据客户需求设计方案，为客户提供非标检测服务。半导体噪声测试费用：样品初检后结合客户检测需求以及实验复杂程度进行报价，样品量大小：具体样品量需要根据客户的检测项目来决定，详情您可以咨询工程师。

半导体噪声测试项目

　　噪声谱密度、系数、指标、温度、功率、相关、幅度、频谱、带宽、功率谱、相位、时域、频域测量等。

试验范围

　　半导体噪声测试样品一般包括：

　　器件样品：晶体管、二极管、集成电路、功率放大器、运算放大器、传感器、光电器件等。

　　光学器件样品：激光二极管、光电二极管、光纤接收器、光纤放大器、光学调制器、光学滤波器等。

　　电子元件样品：电阻器、电容器、电感器、变压器、滤波器、开关、继电器等。

　　传感器样品：温度传感器、压力传感器、光敏传感器、加速度传感器、声音传感器、湿度传感器等。

相关仪器

　　半导体噪声测试涉及的仪器设备包括：

　　器件噪声测试仪器：噪声分析仪、功率谱分析仪、噪声系数测量仪、噪声功率测量仪

　　器件非线性测试仪器：信号源、频谱分析仪、功率谱分析仪、互调失真分析仪

　　器件功耗测试仪器：直流电源、功率分析仪、功率谱分析仪、功耗效率测量仪

　　器件时钟抖动测试仪器：频率计、频谱分析仪、时钟抖动测量仪、抖动峰峰值测量仪

相关标准

　　BS EN 60749-16-2003 半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分:颗粒冲击噪声检测(PIND)

　　CEI EN 60749-16-2005 半导体器件.机械和气候试验方法.第16部分:粒子冲击噪声检测(PIND).第一版

　　DIN EN 60749-16-2003 半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分:部分冲击噪声检测(PIND)

　　GB/T 16850.3-2021 光放大器试验方法 第3部分：单波道光放大器噪声参数

　　GOST 18986.23-1980 半导体稳压管 噪声光谱密度测量方法

　　GOST 19656.5-1974 超高频混频和检波半导体二极管 噪声比测量方法

　　GOST 19656.6-1974 超高频混频半导体二极管 标准噪声系数测量方法

　　IEC 60747-18-4-2023 半导体器件.第18-4部分：半导体生物传感器.无透镜CMOS光子阵列传感器噪声特性的评估方法

　　PNS IEC 60749-16-2013 半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分:部分冲击噪声检测(PIND)

　　SJ/T 11846-2022 电压调整器低频噪声参数测试方法

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