半导体材料测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

　　检测项目：半导体材料测试

　　检测周期：7-15个工作日出具测试报告。

　　检测费用：样品初检后结合客户检测需求以及实验复杂程度进行报价。

　　北京中科光析科学技术研究所，可为您出具低维半导体材料、宽带隙半导体材料等各种半导体材料测试报告。我所是正规的科研测试机构，始终以科学研究为首任，以客户为中心，在严格的程序下开展检测工作，为客户提供产品检测及质量控制的解决方案， 竭诚为广大客户提供科学的检验检测、研发分析服务。

检测范围

　　元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体等。

检测标准列举

　　CECC 50 002- 101 ISSUE 3-1985 半导体材料 硅制 2N2221型;极性:负极-正极-负极2N2221A型,封装材料:2N2222金属型,接头包装:2N2222A集流器

　　CECC 50 002- 103 ISSUE 3-1985 半导体材料 硅制 2N2906型;极性:负极-正极-负极2N2906A型,封装材料:2N2907金属型,接头包装:2N2907A集流器

　　DIN 50431-1988 无机半导体材料的检验; 用直线配置的四探针直流法测定硅和锗单晶体的比电阻

　　DIN 50433-1-1976 无机半导体材料的检验; 用X 射线测向仪测定单晶体取向

　　DIN 50433-2-1976 无机半导体材料的检验; 用反射光影法测定单晶体取向

　　DIN 50433-3-1982 半导体材料的检验; 用劳埃反射法测定单晶体取向

　　DIN 50434-1986 半导体材料的检验; 单晶硅试样的(111) 和(100) 蚀面上晶体结构缺陷的测定

　　DIN 50435-1988 无机半导体材料的检验; 四探针直流法测定硅或锗片的比电阻径向变化

　　DIN 50437-1979 无机半导体材料的检验; 用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度

　　DIN 50438-1-1995 无机半导体材料的检验;用红外吸收法测定硅中杂质含量:第1部分:氧

　　DIN 50439-1982 半导体工艺材料的检验; 用电容--电压法和水银接点确定晶朊半导体材料中掺杂物的断面

　　DIN 50440-1998 半导体材料检验.用光导衰减法测定硅单晶复合载流子寿命;在杆上试件上测量

　　DIN 50441-1-1996 无机半导体材料的检验;半导体片几何尺寸的测量;第1部分:厚度和厚度变化

　　DIN 50441-2-1998 半导体材料的检验;半导体片几何尺寸的测量.第2部分:倒棱的检验

　　DIN 50445-1992 半导体材料检验.电阻测量

　　DIN 50446-1995 半导体材料的检验.硅外延层的缺陷类型和缺陷密度的测定

　　DIN 50452-1-1995 半导体材料的检验.液体中粒子的分析方法.第1部分:显微镜测定粒子

　　GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法

　　GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法

半导体材料测试流程

　　1、寄样：和工程师联系咨询 并邮寄样品(支持上门取样)

　　2、初检：对样品进行初检，结合客户需求确定具体检测项目

　　3、报价：根据检测的复杂程度进行报价

　　4、双方确定--签订保密协议，开始实验

　　5、完成实验

　　6、寄送报告：有完善的售后服务，可随时咨询

　　以上是关于半导体材料测试相关介绍,周期、方法、步骤以工程师为准，如样品特殊可与工程师交流沟通样品特性，为您设计合理的检测分析方案，节约您的时间。

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