芯片冲击韧性测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.冲击吸收能量：夏比冲击功、艾氏冲击功、断裂吸收能量、动态断裂韧度。

2.冲击强度测试：缺口冲击强度、无缺口冲击强度、侧向冲击强度、垂直冲击强度。

3.断裂特性分析：断裂模式判定、断口形貌分析、裂纹扩展路径、断裂韧性指标。

4.封装材料韧性：塑封料冲击韧性、陶瓷封装韧性、金属基板韧性、复合封装韧性。

5.键合结构强度：金丝键合冲击强度、铝丝键合冲击强度、铜丝键合冲击强度、倒装焊点冲击强度。

6.基板抗冲击性：有机基板冲击韧性、陶瓷基板冲击韧性、硅基板冲击韧性、复合基板冲击韧性。

7.温度影响评估：室温冲击韧性、低温冲击韧性、高温冲击韧性、温度转变温度。

8.动态响应特性：冲击响应曲线、载荷-位移关系、应变率效应、惯性效应分析。

9.疲劳冲击累积：多次冲击损伤、冲击疲劳寿命、累积损伤评估、损伤演化规律。

10.缺陷敏感性：缺口敏感性、裂纹敏感性、夹杂敏感性、气孔敏感性。

检测范围

集成电路芯片、功率器件芯片、存储芯片、处理器芯片、传感器芯片、射频芯片、光电芯片、MEMS芯片、功率模块芯片、智能功率模块、塑封芯片、陶瓷封装芯片、金属封装芯片、玻璃封装芯片、球栅阵列封装芯片、芯片级封装、倒装芯片、晶圆级封装芯片、多芯片模块、系统级封装芯片。

检测设备

1.摆锤式冲击试验机：用于标准试样的冲击韧性测定，能量范围通常为0.5J至50J。

2.落锤式冲击试验机：适用于较大能量冲击测试，能量范围可达数百焦耳。

3.高速拉伸试验机：用于动态载荷下的材料性能测试，拉伸速率可达10m/s以上。

4.霍普金森杆系统：用于高应变率下的动态力学性能测试。

5.扫描电子显微镜：用于冲击断口的微观形貌分析和失效模式判定。

6.金相显微镜：用于观察材料显微组织与冲击韧性的关系。

7.高速摄像系统：记录冲击过程中的变形和破坏过程。

8.动态信号分析仪：采集和分析冲击过程中的动态响应信号。

9.环境试验箱：用于不同温度条件下的冲击韧性测试。

10.数字图像相关系统：用于冲击过程中的全场应变测量和分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质