芯片指标平整度检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.整体平整度：全表面平整度偏差，基准面偏移，最大高低差，区域翘曲量。

2.局部平面形貌：局部凹陷，局部凸起，微区起伏，表面波纹度。

3.翘曲变形：纵向翘曲，横向翘曲，对角翘曲，热后翘曲变化。

4.厚度一致性：整体厚度偏差，厚度均匀性，边缘厚度变化，角部厚度差。

5.表面高度分布：高度极差，高度均值偏移，高度离散性，区域高度差。

6.边缘几何状态：边缘翘起，边缘塌陷，边缘平直度，边角变形。

7.基板贴合状态：贴合面平面度，贴合间隙分布，界面高度差，接触区域均匀性。

8.封装体外形稳定性：封装上表面平整度，底面平整度，封装体扭曲，受力后形变。

9.焊接相关平面指标：焊盘共面性，焊接面高度差，端面平整度，连接区域起伏。

10.热应力影响指标：升温形变，降温回复偏差，循环后平整度变化，热历史引起的翘曲。

11.机械应力影响指标：载荷作用变形，释放后残余变形，压持区域平整度变化，弯曲响应。

12.表面缺陷关联指标：凹坑深度，凸点高度，划痕起伏影响，颗粒附着造成的高度异常。

检测范围

裸芯片、晶圆切割芯片、功率芯片、逻辑芯片、存储芯片、传感芯片、射频芯片、模拟芯片、数模混合芯片、封装芯片、倒装芯片、多芯片组件、系统级封装样品、芯片基板、引线框架封装件、晶圆级封装样品、薄型芯片、车规芯片、测试芯片、研发样片

检测设备

1.平整度测量仪：用于测定芯片整体表面的平整度偏差、区域高低差及基准面变化。

2.三维形貌仪：用于获取芯片表面三维高度分布，分析局部凹凸、波纹及微区起伏特征。

3.激光位移测量仪：用于非接触测量表面高度变化，适合翘曲量与边缘高度差评估。

4.白光干涉仪：用于高精度表面轮廓测量，可识别微小起伏、局部凹坑及凸起特征。

5.轮廓测量仪：用于获取截面轮廓曲线，分析厚度变化、表面弧度及边缘几何状态。

6.共面性测试仪：用于评估焊盘、引脚或接触面之间的高度一致性与装配适配状态。

7.显微测量系统：用于放大观察芯片表面局部结构，辅助识别细微变形与缺陷对应区域。

8.恒温试验设备：用于提供稳定温度环境，观察温度变化对芯片平整度和翘曲的影响。

9.热循环试验设备：用于模拟反复温度变化工况，评估循环条件下的形变累积与平整度变化。

10.数据分析系统：用于处理高度数据、轮廓数据及形貌结果，完成偏差计算、区域比对与结果判读。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质