质谱碳化硅测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.元素组成分析：硅含量测定，碳含量测定，氧含量测定，氮含量测定，游离硅分析，游离碳分析。

2.痕量金属杂质检测：铁含量测定，铝含量测定，钙含量测定，镁含量测定，钠含量测定，钾含量测定。

3.过渡元素杂质检测：钛含量测定，钒含量测定，铬含量测定，锰含量测定，镍含量测定，铜含量测定。

4.重元素杂质检测：钼含量测定，钨含量测定，铅含量测定，锡含量测定，锌含量测定，钴含量测定。

5.非金属杂质分析：硼含量测定，磷含量测定，硫含量测定，氯含量测定，氟含量测定，残留氧化物分析。

6.表面污染物分析：表面金属残留检测，表面有机残留检测，清洗后残留分析，抛光残留分析，切割污染物分析，包装引入物分析。

7.气体释放相关分析：加热逸出组分分析，吸附气体分析，表面挥发物分析，残留溶剂分析，水分释放分析，热分解产物分析。

8.深度分布分析：表层元素分布分析，近表面杂质分布分析，梯度污染分析，界面成分分析，涂层残留分析，扩散层成分分析。

9.原料纯度评价：主成分纯度测定，杂质总量评估，批次成分一致性分析，来源差异分析，烧结前后成分对比，提纯效果评估。

10.工艺过程残留检测：烧结助剂残留分析，反应副产物分析，刻蚀残留分析，清洗剂残留分析，粘结剂残留分析，加工介质残留分析。

11.失效关联成分分析：异常颗粒成分分析，裂纹区污染物分析，腐蚀产物分析，变色区域成分分析，沉积物成分分析，局部富集元素分析。

12.颗粒与粉体成分检测：粉体杂质分析，粒径分级样成分分析，团聚物成分分析，异物颗粒分析，筛分前后成分对比，细粉残留分析。

检测范围

碳化硅粉体、碳化硅颗粒、碳化硅晶片、碳化硅衬底、碳化硅单晶、碳化硅外延片、碳化硅陶瓷、碳化硅烧结体、碳化硅密封环、碳化硅喷嘴、碳化硅辊棒、碳化硅换热部件、碳化硅耐磨件、碳化硅坩埚、碳化硅膜层、碳化硅复合材料、碳化硅切割样、碳化硅抛光样

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量和超痕量金属元素分析，适合多元素同时测定，检出能力较高。

2.辉光放电质谱仪：用于固体样品直接进行元素和杂质分析，适合评估块体材料中微量成分分布。

3.二次离子质谱仪：用于表面及微区成分分析，可开展深度剖析和局部杂质分布研究。

4.气相质谱联用仪：用于挥发性组分和热释放产物分析，适合残留溶剂及有机污染物检测。

5.热脱附质谱仪：用于加热过程中逸出物分析，可识别吸附物、表面残留和低含量挥发组分。

6.激光剥蚀进样质谱系统：用于固体样品局部取样分析，适合微区元素测定和成分分布比较。

7.元素分析仪：用于碳、硫、氧、氮等元素含量测定，可辅助评价材料主成分及非金属杂质水平。

8.热重分析仪：用于监测样品受热过程中的质量变化，可辅助判断挥发物、吸附物和分解行为。

9.显微红外分析仪：用于表面有机残留和局部污染物识别，可辅助异物和加工残留分析。

10.扫描电子显微镜：用于观察样品表面形貌和异常颗粒特征，可辅助定位污染区域和失效部位。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质