高纯硅检测摘要:高纯硅检测是半导体及光伏产业的质量控制核心,重点检测纯度(总杂质<1ppb)、关键参数包括金属杂质(Fe、Al等≤0.1ppb)、电阻率(0.001-1000Ω·cm)、晶体缺陷密度(位错<10/cm²)。检测对象主要为单晶和多晶硅材料,采用光谱、电学及表面分析技术,确保材料适用于集成电路和太阳能电池制造。
参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
物理性能检测:
1.单晶硅:用于半导体晶圆,检测晶格缺陷及电阻率均匀性
2.多晶硅:光伏材料,侧重杂质分布及电学性能一致性
3.硅片:切割后产品,重点检测表面完整性及厚度公差
4.硅粉:粉末形态,检测粒径分布(D50=10-100μm)及污染物残留
5.硅锭:铸造块体,检测内部气泡缺陷及热应力裂纹
6.太阳能级硅:光伏应用材料,关注光生载流子寿命≥100μs
7.电子级硅:集成电路基材,检测微污染(重金属≤0.1ppb)
8.掺杂硅:含硼/磷掺杂剂,检测掺杂浓度精度(±0.001%)
9.硅薄膜:涂层材料,厚度均匀性(±5nm)及附着强度
10.回收硅:再生材料,重金属残留(如铅≤0.05ppm)及有机杂质清除率
国际标准:
1.电感耦合等离子体质谱仪:型号ICP-MS-7900(检测限0.001ppb,分辨率0.1amu)
2.傅里叶变换红外光谱仪:型号FTIR-NEXUS(波数范围400-4000cm⁻¹,精度±0.01cm⁻¹)
3.扫描电子显微镜:型号SEM-SU8000(分辨率1nm,加速电压0.5-30kV)
4.原子力显微镜:型号AFM-Dimension(扫描范围100μm×100μm,Z轴分辨率0.1nm)
5.四探针测试仪:型号Pro4-400(电阻率范围0.001-1000Ω·cm,精度±0.2%)
6.X射线衍射仪:型号XRD-D8(角度范围5-90°,精度±0.0001°)
7.气相色谱-质谱联用仪:型号GC-MS-7890(检测限0.01ppm,柱温范围40-450°C)
8.激光粒度分析仪:型号LA-950(粒径范围0.01-3000μm,精度±1%)
9.差示扫描量热仪:型号DSC-850(温度范围-150-600°C,灵敏度0.1μW)
10.表面轮廓仪:型号Profilometer-P7(粗糙度测量Ra0.001-100μm,精度±0.5%)
11.紫外-可见分光光度计:型号UV-2600(波长范围190-900nm,带宽0.1nm)
12.热导率测定仪:型号TC-3000(测量范围0.1-500W/m·K,误差±1%)
13.力学试验机:型号UTM-600(载荷0.01-100kN,应变速率0.001-500mm/min)
14.霍尔效应测试系统:型号HMS-5000(载流子浓度10⁹-10²¹cm⁻³,磁场范围0-1.5T)
15.洁净度粒子计数器:型号PC-200(粒径通道0.1-10μm,流量28.3L/min)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
中析高纯硅检测 - 由于篇幅有限,仅展示部分项目,如需咨询详细检测项目,请咨询在线工程师