晶体主平面检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.晶面取向偏差：测量主平面与理论晶面的角度偏差（0.05）
2.表面粗糙度：Ra值范围0.1-10nm（白光干涉仪测量）
3.晶格常数验证：XRD测定误差≤0.0005nm
4.位错密度分析：蚀刻法测定密度范围10-10⁶/cm
5.表面平整度：激光干涉仪测量平面度≤λ/20（λ=632.8nm）

检测范围

1.半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)等300mm以下晶圆
2.激光晶体元件：Nd:YAG、钛宝石等光学级晶体棒材
3.压电晶体基片：石英(α-SiO₂)、铌酸锂(LiNbO₃)基片
4.硬质晶体材料：蓝宝石(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)衬底片
5.特种功能晶体：BGO闪烁晶体、KDP非线性光学晶体

检测方法

1.X射线衍射法：ASTMF26标准测定晶面取向
2.激光共聚焦法：ISO25178标准测量表面形貌
3.化学蚀刻法：GB/T1555-2021半导体单晶测试规范
4.电子背散射衍射：ISO24173标准分析晶体结构
5.白光干涉法：GB/T29558-2013表面粗糙度测量规程

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：θ/θ测角仪系统（精度0.0001）
2.BrukerDektakXT轮廓仪：12nm垂直分辨率触针式测量
3.ZygoNewView9000白光干涉仪：0.1nm纵向分辨率
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：空间分辨率50nm
5.MitutoyoCrysta-ApexS116坐标测量机：U轴重复精度0.3μm
6.KeyenceVK-X3000激光共聚焦显微镜：408nm激光波长
7.PanasonicUA3P三维轮廓仪：0.8nmRMS噪声水平
8.ThermoScientificPrismaESEM：1nm分辨率电子成像
9.Agilent5500AFM原子力显微镜：亚埃级表面形貌分析
10.NikonMM-400测量显微镜：15倍物镜+CCD数字成像系统

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质