电子束检测摘要:电子束检测是一种基于高能电子束与物质相互作用原理的分析技术,广泛应用于材料科学、半导体制造及航空航天等领域。其核心在于通过电子显微成像、能谱分析等手段实现微观结构表征、成分测定及缺陷定位。检测需关注加速电压稳定性、束流密度控制及样品制备规范性等关键参数,确保数据精确性与重复性。
参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
1. 表面形貌分析:分辨率≤1nm,加速电压0.1-30kV
2. 元素成分测定:能谱分辨率≤127eV(Mn-Kα),探测元素范围B-U
3. 晶体结构表征:衍射角精度±0.01°,晶格常数误差<0.5%
4. 缺陷定位分析:最小可检缺陷尺寸10nm,定位精度±5nm
5. 薄膜厚度测量:测量范围1nm-10μm,误差<3%
1. 金属材料:钛合金晶界分析、高温合金析出相鉴定
2. 半导体器件:晶圆线宽测量、芯片焊点空洞检测
3. 高分子材料:共混物相分布观察、纤维取向度测定
4. 陶瓷材料:晶粒尺寸统计、气孔率计算
5. 生物样品:细胞超微结构观察、纳米药物载体表征
ASTM E1504-2017 电子束焊接接头检验规程
ISO 16700:2016 扫描电镜操作规范
GB/T 17359-2023 微束分析能谱法定量分析通则
GB/T 23414-2023 微束分析扫描电镜图像特性描述
ISO 22493:2019 微束分析扫描电镜校准规范
1. ZEISS Sigma 500场发射电镜:配备EDS/EBSD系统,适用纳米级三维重构
2. Thermo Scientific Apreo 2 SEM:低真空模式支持非导电样品直接观测
3. Hitachi Regulus 8230冷场电镜:0.7nm@15kV分辨率,支持STEM模式
4. JEOL JSM-7900F Schottky场发射电镜:束流稳定性<0.2%/h
5. TESCAN MIRA4 XMH FEG-SEM:集成CL阴极荧光光谱系统
6. Oxford Instruments Ultim Max 170 EDS:大面积硅漂移探测器
7. Bruker eFlash FS EBSD系统:全自动花样标定速度>3000点/秒
8. Gatan MonoCL4阴极荧光谱仪:光谱范围200-1700nm
9. Leica EM ACE600镀膜仪:磁控溅射镀膜厚度控制精度±0.5nm
10. Fischione Model 1061离子研磨仪:低损伤截面制备系统
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
中析电子束检测 - 由于篇幅有限,仅展示部分项目,如需咨询详细检测项目,请咨询在线工程师