晶格完整性检测
晶格完整性检测摘要：晶格完整性检测是评估材料微观结构稳定性的关键技术，涉及晶格常数偏差、位错密度、晶界结构等核心参数的分析。通过X射线衍射、电子显微镜等方法精确测定晶体缺陷及应力分布，适用于半导体、金属合金等多种材料的质量控制与失效分析。本文系统阐述检测项目、范围、方法及设备配置，为工程研发提供科学依据。
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
检测项目
1. 晶格常数偏差测定：测量精度±0.001 Å（埃），支持单晶/多晶材料三维方向参数校准
2. 位错密度分析：分辨率≤1×106 cm-2，可识别刃型/螺型位错形态
3. 晶界结构表征：取向差角测量范围0.1°-180°，支持Σ值计算与界面能评估
4. 层错能测定：测试范围0.1-1000 mJ/m²，适用于面心立方/密排六方晶体体系
5. 残余应力分布：空间分辨率50 nm，深度剖面测量精度±10 MPa
检测范围
1. 半导体材料：硅(Si)、氮化镓(GaN)等单晶晶圆及外延薄膜
2. 金属合金：钛合金(Ti-6Al-4V)、镍基高温合金(IN718)等锻造/铸造件
3. 陶瓷材料：氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)等烧结体与涂层
4. 高分子晶体材料：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等半结晶聚合物
5. 光学晶体材料：铌酸锂(LiNbO3)、氟化钙(CaF2)等功能晶体
检测方法
1. X射线衍射法(XRD)：ASTM E975-20《残余应力测定标准》、GB/T 8362-2018《金属材料X射线应力测定方法》
2. 透射电子显微术(TEM)：ISO 25498:2018《微束分析-透射电镜选区电子衍射分析方法》
3. 电子背散射衍射(EBSD)：ASTM E2627-19《取向成像显微术标准指南》
4. 拉曼光谱法：GB/T 36165-2018《表面化学分析 X射线光电子能谱和拉曼光谱》
5. 中子衍射法：ISO 21484:2017《核能装置用材料的残余应力测定》
检测设备
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
中析仪器 资质
中析晶格完整性检测 - 由于篇幅有限，仅展示部分项目，如需咨询详细检测项目，请咨询在线工程师
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