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电荷耦合器件存储器检测

2025-03-24 关键词:电荷耦合器件存储器测试周期,电荷耦合器件存储器测试范围,电荷耦合器件存储器测试标准 相关:
电荷耦合器件存储器检测

电荷耦合器件存储器检测摘要:电荷耦合器件(CCD)存储器检测需通过专业手段评估其电性能、结构完整性及环境适应性。核心检测指标包括暗电流、电荷转移效率、动态范围等参数,需依据ASTM、ISO及GB/T标准执行。本文系统阐述检测项目、方法及设备选型要点,适用于科研级、工业级及航天级CCD器件的质量控制。

参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.暗电流特性:25℃下暗电流密度≤0.5nA/cm²,高温85℃时≤5nA/cm²

2.电荷转移效率:垂直转移效率≥99.999%,水平寄存器效率≥99.99%

3.动态范围测试:线性工作区≥70dB,饱和曝光量误差≤±3%

4.光谱响应度:400-1000nm波长范围内量子效率≥80%

5.抗辐射性能:总剂量辐射≥100krad(Si),单粒子闩锁阈值≥50MeV·cm²/mg

检测范围

1.科学级背照式CCD:用于天文观测与光谱分析的高灵敏度器件

2.工业线阵CCD:适用于高速扫描与尺寸测量的1024/2048像素阵列

3.航天级抗辐射CCD:满足卫星载荷要求的加固型图像传感器

4.微光CCD组件:带电子倍增功能的EMCCD器件

5.红外增强型CCD:扩展至1700nm近红外波段的特种器件

检测方法

1.ASTMF1241-22《固态成像器件暗电流测试规程》

2.ISO15529:2010《光学与光子学-CCD调制传递函数测量》

3.GB/T18908.1-2021《半导体器件机械和气候试验方法》

4.IEC60749-39:2021《半导体器件抗辐射试验流程》

5.GB/T26248-2010《电荷耦合器件光电参数测试方法》

检测设备

1.KeysightB1500A半导体分析仪:暗电流/电容-电压特性测试

2.ThermoScientificATS-525恒温箱:-65℃~+200℃温度循环测试

3.OAIModel300光学校准系统:MTF/PSF光学响应分析

4.Chroma19032-S光辐射源:光谱响应度标定装置

5.TektronixAWG5208任意波形发生器:驱动时序特性验证

6.HamamatsuC11347-11低温探头:77K深冷环境性能测试

7.ThermoFisherSCIEXTripleTOF6600质谱仪(改装):单粒子效应模拟

8.Agilent4156C精密参数分析仪:电荷转移效率定量分析

9.BrukerContourGT-X3白光干涉仪:微结构三维形貌测量

10.Fluke6100A电能质量标准源:供电系统抗干扰测试

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

中析仪器 资质

中析电荷耦合器件存储器检测 - 由于篇幅有限,仅展示部分项目,如需咨询详细检测项目,请咨询在线工程师

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