半导体含量检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.主体元素含量分析：硅含量，锗含量，砷化镓中砷镓比，氮化镓中氮镓比。

2.掺杂剂浓度检测：硼浓度，磷浓度，砷浓度，锑浓度。

3.金属杂质含量分析：铁含量，铜含量，镍含量，铬含量，钠含量，钾含量，铝含量。

4.轻元素含量检测：氧含量，碳含量，氮含量，氢含量。

5.表面污染物分析：有机污染物总量，无机阴离子含量，微粒污染度。

6.薄膜组分与厚度分析：二氧化硅层厚度与均匀性，氮化硅层中硅氮比，多晶硅层掺杂浓度。

7.合金组分分析：硅化物中金属比例，焊料中铅锡银含量。

8.高纯气体杂质分析：氩气中氧氮含量，氢气中水分含量，氨气中金属杂质。

9.工艺化学品纯度分析：蚀刻液中金属离子浓度，显影液中有机物含量，清洗剂中颗粒数。

10.封装材料有害物质检测：模塑料中溴氯含量，粘结剂中挥发性有机物，引脚镀层金属成分。

11.缺陷成分分析：晶体缺陷处杂质富集分析，颗粒污染物成分鉴定。

检测范围

单晶硅抛光片、外延片、锗晶片、砷化镓衬底、氮化镓外延层、光刻胶、化学机械抛光液、高纯溅射靶材、引线框架、陶瓷封装外壳、塑封料、键合丝、锡球焊料、硅片清洗剂、蚀刻气体、化学气相沉积前驱体、电镀液、晶圆背面涂层、临时键合胶、导热界面材料

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于深度剖析半导体材料中的元素分布及掺杂浓度，具备极高的检测灵敏度与深度分辨率。

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定高纯试剂、硅片清洗液及气体中的痕量金属杂质含量，检测限极低。

3.气相色谱-质谱联用仪：用于分析工艺化学品、封装材料中的有机污染物及挥发性有机物成分。

4.傅里叶变换红外光谱仪：用于测定硅片中间隙氧、替代碳等轻元素的浓度，以及薄膜的化学结构。

5.全反射X射线荧光光谱仪：用于硅片表面痕量金属污染的无损、快速筛查与定量分析。

6.辉光放电质谱仪：用于高纯半导体材料及溅射靶材的体相杂质成分全分析，可检测多种元素。

7.四探针电阻测试仪：用于测量半导体晶片的薄层电阻，从而计算载流子浓度与掺杂均匀性。

8.热脱附-气相色谱质谱联用仪：用于量化封装材料在加热过程中释放出的挥发性有机物及离子杂质。

9.离子色谱仪：用于分析超纯水、蚀刻液及晶圆表面残留的无机阴离子与阳离子含量。

10.激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪：用于对半导体材料进行微区原位成分分析，实现杂质分布的二维成像。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质