半导体质量安全性试验

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.电学特性测试：击穿电压，阈值电压，导通电阻，漏电流，跨导，电容-电压特性。

2.结构完整性分析：晶格缺陷检测，薄膜厚度与均匀性测量，关键尺寸量测，侧壁形貌分析。

3.材料成分与特性分析：元素成分分析，掺杂浓度与分布 profiling，氧化层质量评估，金属层粘附性测试。

4.洁净度与污染控制：表面颗粒污染计数，无机离子污染分析，有机残留物检测，重金属含量测定。

5.可靠性寿命试验：高温工作寿命，高温高湿反偏，温度循环，热冲击，功率温度循环。

6.封装可靠性测试：引线键合强度，芯片剪切力，密封性检测，耐焊接热测试。

7.静电放电敏感度测试：人体模型，机器模型，充电器件模型耐受等级评定。

8.失效分析：开封去盖，热点定位，断面制备与观察，材料成分异常点分析。

9.环境适应性试验：高温存储，低温存储，湿度敏感性等级判定，盐雾试验。

10.机械应力测试：振动试验，机械冲击，恒定加速度，引脚疲劳度测试。

检测范围

硅晶圆、砷化镓晶圆、半导体抛光片、外延片、集成电路芯片、分立器件芯片、光电子器件芯片、功率晶体管、二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管、微机电系统器件、各类传感器芯片、晶圆级封装器件、系统级封装模块、球栅阵列封装器件、四方扁平无引脚封装器件

检测设备

1.半导体参数分析仪：用于精确测量晶体管等有源器件的电流-电压特性曲线，评估其基本电学性能。

2.扫描电子显微镜：提供高分辨率微区形貌观察，用于失效定位、断面分析和尺寸量测。

3.原子力显微镜：用于纳米级表面粗糙度、三维形貌以及材料微区力学性质的测量。

4.二次离子质谱仪：通过逐层剥离与分析，获得材料中微量元素及掺杂浓度的深度分布信息。

5.高分辨率X射线衍射仪：用于分析半导体材料的晶体质量、晶格常数、应变状态及外延层厚度。

6.傅里叶变换红外光谱仪：用于检测硅片中间隙氧、替代碳等杂质含量，评估晶圆质量。

7.高温反偏试验箱：模拟高温加电应力条件，加速评估器件在电场和热应力共同作用下的长期可靠性。

8.温度循环试验箱：在设定的高低温极限间快速转换，考核器件因材料热膨胀系数不匹配导致的机械失效。

9.静电放电发生器：模拟不同放电模型，对器件施加标准化的静电脉冲，以判定其抗静电能力等级。

10.声学扫描显微镜：利用超声波探测封装内部的分层、空洞、裂纹等缺陷，实现无损检测。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质