碳化硅电学金属测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 接触特性测试：比接触电阻率，传输线模型测试，接触电阻均匀性评估。

2. 肖特基势垒表征：势垒高度，理想因子，反向饱和电流密度。

3. 金属层电学性能：方块电阻，薄膜电阻率，导电率，载流子浓度与迁移率（霍尔效应）。

4. 界面粘附强度测试：划痕法附着力，胶带剥离测试，推球法结合力。

5. 金属层厚度与均匀性：膜厚测量，厚度面内均匀性分析。

6. 金属层成分与结构分析：元素组成，相结构分析，结晶取向。

7. 高温电学稳定性测试：高温存储后接触电阻变化，高温正向电压特性。

8. 电迁移可靠性评估：电流加速寿命测试，平均失效时间推算。

9. 栅极金属电学性能：平带电压，阈值电压稳定性，栅极漏电流。

10. 互连金属化测试：通孔接触电阻，金属连线电阻，台阶覆盖率电学验证。

11. 热稳定性测试：合金化工艺后电学参数变化，热应力后界面电阻稳定性。

检测范围

碳化硅晶圆、碳化硅外延片、碳化硅肖特基势垒二极管芯片、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管芯片、碳化硅结型场效应晶体管芯片、碳化硅绝缘栅双极型晶体管芯片、碳化硅功率模块、晶圆级测试结构、欧姆接触试验片、栅极金属试验片、背面金属化衬底、引线键合点、金属化陶瓷衬板、散热基板金属层、封装内部互连金属

检测设备

1. 半导体参数分析仪：用于精确测量电流-电压特性曲线，分析二端或三端器件的各类电学参数；具备高精度源与测量单元。

2. 探针台系统：提供晶圆或芯片级别的精密电学接触；配备可编程的高精度移动平台和显微镜。

3. 霍尔效应测试系统：通过范德堡法测量金属层或半导体材料的电阻率、载流子浓度及霍尔迁移率；通常在磁场环境中进行。

4. 扫描电子显微镜：用于高分辨率观察金属层表面形貌、界面结构以及进行失效定位分析；可配备能谱仪进行成分分析。

5. 原子力显微镜：用于纳米尺度表征金属薄膜的表面粗糙度与三维形貌；可在导电模式下测量局部电学性质。

6. X射线衍射仪：用于分析金属薄膜的晶体结构、相组成、结晶取向及残余应力状态。

7. 台阶仪与轮廓仪：通过接触式或光学干涉原理，精确测量金属薄膜的厚度及表面台阶高度。

8. 高温高可靠性测试系统：提供可控的高温环境，用于器件或测试结构的高温存储、高温工作寿命及电学稳定性测试。

9. 热阻测试系统：通过电学方法测量器件结至外壳或结至环境的热阻，评估金属化层及互连系统的散热性能。

10. 聚焦离子束与扫描电子显微镜联用系统：用于制备器件特定位置的截面样品，并在高分辨率下观察界面形貌、金属层覆盖情况，辅助失效分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室拥有CMA/CNAS/ISO资质。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质