碲锌镉检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.成分分析：Cd/Zn/Te元素含量（0.1at%精度）、杂质元素（Fe/Cu/Na≤10ppm）
2.晶体结构：晶格常数（6.4820.005）、位错密度（≤510^4cm^-2）
3.电学性能：电阻率（≥110^10Ωcm）、载流子迁移率（≥1000cm/Vs）
4.缺陷表征：Te沉淀相尺寸（≤5μm）、孪晶界密度（≤3/cm）
5.光学特性：红外透过率（2-25μm波段≥60%）、带隙宽度（1.4-2.2eV可调）

检测范围

1.红外探测器用单晶衬底片（直径50-150mm）
2.核辐射探测器级晶体（厚度1-10mm）
3.气相沉积薄膜材料（厚度0.1-5μm）
4.掺杂改性材料（In/Al掺杂浓度0.1-5at%）
5.器件封装成品（TO-8/TO-39封装体）

检测方法

1.ASTMF76：半导体材料电阻率标准测试法
2.ISO14707：辉光放电质谱元素分析规程
3.GB/T13301：晶体缺陷X射线形貌术检测规范
4.GB/T32282：半导体材料霍尔效应测试方法
5.ISO21283：红外光谱法测定带隙技术规范
6.ASTME112：晶粒度测定标准方法

检测设备

1.X射线荧光光谱仪（XRF-1800）：元素定量分析（检出限0.01wt%）
2.X射线衍射仪（D8ADVANCE）：晶体结构表征（角度精度0.0001）
3.霍尔效应测试系统（HMS-3000）：载流子浓度/迁移率测量（磁场强度1T）
4.红外傅里叶光谱仪（NicoletiS50）：透过率/带隙测试（波长范围0.3-25μm）
5.扫描电子显微镜（SU5000）：表面形貌观测（分辨率1nm）
6.低温探针台（CRX-6.5K）：电学特性低温测试（温度范围4-400K）
7.γ射线能谱仪（GEM60P4）：核响应特性测试（能量分辨率≤1%@662keV）
8.激光诱导击穿光谱仪（LIBS-6G）：深度剖面分析（空间分辨率

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质