碳化硅晶体检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

结构特性检测：

• 晶格常数测定：a轴误差≤0.001nm、c轴误差≤0.002nm（参照JISR1621）
• 晶体取向精度：偏差角≤0.5°、多型体识别（参照SEMIMF26）
• 晶粒尺寸分析：平均粒径≥5μm、分布均匀性（参照ASTME112）

• 电阻率测试：范围10⁻³~10⁶Ω·cm、温度系数（四探针法）
• 载流子浓度：1E15-1E19cm⁻³、迁移率（霍尔效应）
• 击穿场强：≥3MV/cm、漏电流密度（参照SEMIMF1727）

• 热导率：≥150W/m·K、各向异性比（激光闪射法）
• 热膨胀系数：2.0-4.0×10⁻⁶/K、高温稳定性（参照ASTME831）
• 比热容：0.6-1.2J/g·K、相变温度（同步热分析）

• 表面粗糙度：Ra≤0.5nm、峰谷高度（参照ISO4287）
• 平整度检测：翘曲≤10μm、局部斜率（光干涉法）
• 附着强度：≥50MPa、界面结合力（划痕测试）

• 透射率：波长400-800nm≥85%、吸收系数（参照ISO13468）
• 折射率：2.5-2.7（633nm）、双折射（椭偏仪）
• 荧光光谱：峰值波长偏差±2nm、强度均匀性（拉曼光谱）

• 位错密度：<500cm⁻²、分布图谱（腐蚀坑法）
• 微裂纹检测：长度≤5μm、密度（SEM成像）
• 夹杂物评级：尺寸≤1μm、含量（参照ASTME45）

• 纯度分析：SiC≥99.99%、杂质元素（如Fe≤5ppm）
• 碳硅比：1.0±0.05、氧含量≤100ppm（燃烧法）
• 掺杂浓度：N型≤1E20cm⁻³、P型控制（SIMS）

• 硬度测试：维氏硬度≥2500HV、压痕模量（参照ISO6507）
• 抗弯强度：≥400MPa、断裂韧性（三点弯曲法）
• 弹性模量：400-500GPa、泊松比（超声共振）

• 厚度公差：±10μm、平行度（千分尺法）
• 直径偏差：≤0.1mm、圆度（光学投影）
• 边缘倒角：角度45°±2°、均匀性（轮廓仪）

• 耐腐蚀性：酸/碱腐蚀率≤0.1mg/cm²（参照ASTMG31）
• 抗氧化性：高温失重≤5%（1000°C/24h）（TGA）
• 湿度敏感性：膨胀率≤0.01%（85°C/85%RH）

检测范围

1.单晶碳化硅衬底：用于半导体功率器件，检测重点为结晶质量、电学均匀性及晶向精度控制。

2.多晶碳化硅陶瓷：应用于耐火材料，检测重点包括热稳定性、机械强度和微缺陷密度分析。

3.碳化硅晶片：作为集成电路基材，检测重点涵盖表面平整度、厚度公差和微裂纹分布。

4.碳化硅薄膜涂层：用于耐磨部件，检测重点为附着强度、厚度均匀性和耐腐蚀性能。

5.碳化硅粉末原料：用于烧结制备，检测重点包括粒度分布、纯度评估和化学成分一致性。

6.碳化硅复合材料：与金属/聚合物复合，检测重点为界面结合强度、热膨胀匹配和电学隔离。

7.碳化硅半导体器件：如MOSFET模块，检测重点包括击穿电压、漏电流和高温可靠性。

8.碳化硅涂层刀具：应用于机械加工，检测重点为硬度、耐磨性和表面光滑度。

9.碳化硅纳米颗粒：用于光电子领域，检测重点包括粒径分布、结构缺陷和功能性参数。

10.再生碳化硅材料：回收再利用产品，检测重点为杂质含量、性能衰减和化学稳定性验证。

检测方法

国际标准：

• ASTME831-19热膨胀系数测试标准
• ISO18747:2019粉末粒度分布测定方法
• SEMIMF26-0321晶体取向精度测试规范
• JISR1621-2020碳化硅晶格常数测定方法
• ASTME112-13晶粒度分析标准

• GB/T36595-2018碳化硅单晶片技术条件
• GB/T3074.1-2015硬度测试方法
• GB/T4334-2020耐腐蚀性能试验
• GB/T228.1-2021材料拉伸测试标准
• GB/T13298-2015金相显微检验方法

方法差异说明：国际标准如ASTME831采用激光干涉法测定热膨胀，国家标准GB/T4334侧重化学浸泡腐蚀率；晶粒度检测中ASTME112使用截点法，GB/T13298优先图像分析法；电学测试SEMI标准要求真空环境，而GB/T228.1放宽至常压条件。

检测设备

1.X射线衍射仪：RigakuSmartLab（分辨率≤0.0001°，Cu-Kα辐射）

2.扫描电子显微镜：ZEISSGeminiSEM（分辨率1nm，加速电压0.1-30kV）

3.霍尔效应测试系统：LakeShoreModel7604（磁场强度0-1.8T，精度±0.5%）

4.激光闪射热导仪：NETZSCHLFA467（温度范围RT-2000°C，精度±3%）

5.表面粗糙度仪：MitutoyoSurfTestSJ-410（测量精度±0.01μm，行程12.5mm）

6.显微硬度计：WilsonTukon2500（载荷范围10gf-50kgf，压头维氏/努氏）

7.拉曼光谱仪：HoribaLabRAMHR（光谱分辨率0.5cm⁻¹，激光波长532nm）

8.透射电子显微镜：JEOLJEM-2200FS（点分辨率0.19nm，加速电压200kV）

9.四探针电阻率仪：LucasLabsPro4（电流范围0.1μA-100mA，自动扫描）

10.热分析系统：TAInstrumentsSDTQ600（TG-DSC同步，温度精度±0.1°C）

11.原子力显微镜：BrukerDimensionIcon（扫描范围90μm，力分辨率pN级）

12.电化学工作站：CHI760E（频率范围10μHz-1MHz，电位精度0.1mV）

13.粒度分析仪：MalvernMastersizer3000（测量范围0.01-3500μm，激光衍射）

14.紫外线可见分光光度计：ShimadzuUV-2700（波长范围190-1400nm，带宽0.1nm）

15.气体色谱质谱仪：Agilent8890GC/5977BMS（检测限ppb级，柱温-40-450°C）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质