氮化镓外延片检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

外延层厚度：测量精度±1nm（SEMI MF1528）

载流子浓度：范围10¹⁴~10²⁰ cm⁻³（ISO 14707）

电子迁移率：测试条件室温，单位cm²/V·s（GB/T 4937）

位错密度：分辨率10⁴ cm⁻²（ASTM E2090）

表面粗糙度：Ra值测量范围0.1~100nm（ISO 4287）

晶体取向：偏差角精度±0.1°（GB/T 17359）

应力分析：压/张应力测量范围±2GPa（ISO 20341）

成分纯度：杂质检出限0.1ppm（ASTM E1504）

光学带隙：波长误差±0.01eV（ISO 18554）

缺陷密度：暗点计数精度95%（SEMI M73）

层间界面质量：界面粗糙度<0.5nm（GB/T 19619）

掺杂均匀性：变异系数<5%（ISO 14707）

检测范围

蓝宝石基氮化镓外延片

硅基氮化镓功率器件外延片

碳化硅基氮化镓射频外延片

同质氮化镓-on-氮化镓外延片

LED应用氮化镓外延片

HEMT器件氮化镓外延片

激光二极管氮化镓外延片

n型掺杂氮化镓外延片

p型掺杂氮化镓外延片

多层异质结构氮化镓外延片

缓冲层氮化镓外延片

超晶格氮化镓外延片

检测方法

X射线衍射法：晶体结构分析（ASTM E1426）

霍尔效应测试法：载流子参数测量（ISO 14707）

原子力显微术：表面形貌评估（GB/T 19619）

光致发光光谱法：光学性能检测（ISO 18554）

二次离子质谱法：成分深度剖析（ASTM E1504）

扫描电子显微术：微观结构观察（GB/T 17359）

拉曼光谱法：应力分布测定（ISO 20341）

透射电子显微术：位错密度分析（ASTM E2090）

电容-电压测试法：掺杂浓度评估（GB/T 4937）

椭圆偏振光谱法：厚度和光学常数测量（ISO 13468）

光刻图形化检测：图案精度验证（SEMI P35）

热导率测试法：材料散热性能分析（ASTM E1461）

检测设备

X射线衍射仪Model XRD-2024：高分辨率晶体分析（符合ASTM E1426）

霍尔效应测量系统Model HEMS-300：载流子浓度和迁移率测试（范围10¹⁴~10²⁰ cm⁻³）

原子力显微镜Model AFM-Pro：纳米级表面粗糙度成像（分辨率0.1nm）

光致发光光谱仪Model PL-550：光学带隙测量（波长范围300~800nm）

二次离子质谱仪Model SIMS-800：杂质深度剖析（检出限0.1ppm）

扫描电子显微镜Model SEM-Ultra：微观缺陷观察（放大倍数10x~500,000x）

拉曼光谱仪Model Raman-Expert：应力分布检测（光谱范围100~4000cm⁻¹）

透射电子显微镜Model TEM-Adv：位错密度分析（点分辨率0.2nm）

电容-电压测试仪Model CV-Tester：掺杂均匀性评估（频率1kHz~1MHz）

椭圆偏振仪Model Ellips-360：厚度和光学常数测定（角度范围45~90度）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质