绝缘体硅片检测
绝缘体硅片检测摘要：检测项目1.电阻率：测量范围0.01-1000Ωcm，精度1%2.厚度均匀性：公差0.5μm（200mm晶圆）3.表面粗糙度：Ra≤0.3nm（AFM测量）4.氧含量：FTIR法测定8-18ppma5.介电强度：击穿电压≥10kV/mm检测范围1.单晶硅片（CZ/FZ法生长）2.多晶硅太阳能基板3.SOI（Silicon-On-Insulator）结构层4.掺杂硅片（硼/磷/砷掺杂）5.绝缘涂层硅片（SiO₂/Si₃N₄复合层）检测方法1.ASTMF723：四探针法电阻率测试2.ISO14707：辉光放电
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
检测项目
1.电阻率：测量范围0.01-1000Ωcm，精度1%
2.厚度均匀性：公差0.5μm（200mm晶圆）
3.表面粗糙度：Ra≤0.3nm（AFM测量）
4.氧含量：FTIR法测定8-18ppma
5.介电强度：击穿电压≥10kV/mm
检测范围
1.单晶硅片（CZ/FZ法生长）
2.多晶硅太阳能基板
3.SOI（Silicon-On-Insulator）结构层
4.掺杂硅片（硼/磷/砷掺杂）
5.绝缘涂层硅片（SiO₂/Si₃N₄复合层）
检测方法
1.ASTMF723：四探针法电阻率测试
2.ISO14707：辉光放电质谱元素分析
3.GB/T6618：非接触式厚度测量规范
4.JISH0609：X射线荧光膜厚测定
5.SEMIMF1530：自动缺陷检测系统校准
检测设备
1.MMRTechnologiesK-450：四探针电阻率测试仪（0.001-10000Ωcm）
2.BrukerDektakXT：触针式轮廓仪（垂直分辨率0.1nm）
3.ThermoScientificNicoletiS50：傅里叶红外光谱仪（400-7800cm⁻）
4.KLASurfscanSP3：无图形晶圆缺陷检测系统（灵敏度50nm）
5.Agilent4294A：精密阻抗分析仪（40Hz-110MHz）
6.HitachiSU5000：场发射扫描电镜（1nm分辨率）
7.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：GD-OES元素深度分析仪
8.LeicaDM8000M：金相显微镜（1500倍光学放大）
9.KeysightB1505A：功率器件分析仪（3000V/1500A）
10.VeecoDimensionIcon：原子力显微镜（0.1nmZ轴分辨率）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
中析仪器 资质
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