三方单锥晶类检测
三方单锥晶类检测摘要：检测项目1.晶胞参数测定：a轴偏差≤0.02nm，c轴角度误差≤0.5，三维晶格匹配度≥98%2.热膨胀各向异性：αa/αc比值范围1.2-3.5（200-800℃）3.介电损耗角正切：1MHz下tanδ≤0.002（室温）4.压电系数d33：测量范围2000pC/N（精度1.5%）5.缺陷密度分析：位错密度≤104cm-2，包裹体尺寸≤5μm检测范围1.铌酸锂（LiNbO3）基压电陶瓷2.α-石英（SiO2）光学晶体3.钽酸锂（LiTaO3）热电材料4.碳化硅（6H-SiC）半导体衬底5.钛酸铋钠（Na
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
检测项目
1.晶胞参数测定：a轴偏差≤0.02nm，c轴角度误差≤0.5，三维晶格匹配度≥98%
2.热膨胀各向异性：αa/αc比值范围1.2-3.5（200-800℃）
3.介电损耗角正切：1MHz下tanδ≤0.002（室温）
4.压电系数d33：测量范围2000pC/N（精度1.5%）
5.缺陷密度分析：位错密度≤104cm-2，包裹体尺寸≤5μm
检测范围
1.铌酸锂（LiNbO3）基压电陶瓷
2.α-石英（SiO2）光学晶体
3.钽酸锂（LiTaO3）热电材料
4.碳化硅（6H-SiC）半导体衬底
5.钛酸铋钠（Na0.5Bi0.5TiO3）弛豫铁电体
检测方法
1.ASTME112-13晶粒度定量金相分析法
2.ISO14705:2016热膨胀系数激光干涉测量法
3.GB/T16535-2008精密陶瓷介电性能测试规范
4.IEC60404-15:2012铁电材料电滞回线测量
5.JISR1637:2010压电常数激光干涉法测定
检测设备
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：9kW旋转阳极靶，θ/θ测角仪（精度0.0001）
2.NetzschDIL402ExpedisSupreme热膨胀仪：最高1600℃，分辨率0.05nm
3.AgilentE4990A阻抗分析仪：20Hz-120MHz频率范围（基本精度0.05%）
4.PolytecMSA-600微系统分析仪：激光多普勒振动测量（位移分辨率0.1pm）
5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：空间分辨率≤50nm（加速电压30kV）
6.ZeissCrossbeam550聚焦离子束电镜：1nm分
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
中析仪器 资质
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