扁豆状双晶检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.双晶面取向偏差：测量双晶界面与理论晶面的角度偏差（0.5以内）
2.界面能密度：通过原子力显微镜测定界面能量分布（0.1-5.0J/m）
3.晶格畸变率：采用高分辨TEM分析晶格常数变化（≤0.3%）
4.双晶带宽度：利用EBSD技术测定双晶区域尺寸（10nm-50μm）
5.应力集中系数：通过纳米压痕仪测量局部应力分布（Kt值1.2-3.5）
6.热稳定性：高温XRD测试相变温度（200-1200℃）

检测范围

1.半导体单晶硅片（直径200-300mm）
2.光学级蓝宝石衬底（c面取向）
3.高温合金涡轮叶片（镍基/钴基）
4.压电陶瓷材料（PZT系/铌酸锂系）
5.航空航天用钛合金锻件（TC4/TC11）
6.人工合成金刚石单晶（IIa型/IIb型）

检测方法

1.ASTME112-13：金相显微镜法定性分析双晶形貌
2.ISO24173:2009：电子背散射衍射（EBSD）定量表征取向差
3.GB/T13298-2015：金属显微组织检验通则
4.ASTME2627-13：X射线衍射法测定残余应力
5.ISO22262-2:2014：扫描电镜能谱联用分析界面成分
6.GB/T3488.2-2018：硬质合金金相检测方法

检测设备

1.蔡司AxioImagerM2m金相显微镜（5000放大倍率）
2.布鲁克D8ADVANCEX射线衍射仪（Cu靶Kα辐射源）
3.TESCANMIRA3场发射扫描电镜（分辨率1nm@15kV）
4.EDAXHikariProEBSD系统（采集速度3000点/秒）
5.牛津仪器AZtecEnergy能谱仪（元素分析范围B-U）
6.日立HF5000透射电镜（点分辨率0.19nm）
7.安东帕TTX-NHT纳米压痕仪（载荷分辨率10nN）
8.耐驰DIL402C热膨胀仪（温度范围-160℃至2000℃）
9.帕纳科Empyrean多功能衍射仪（二维探测器系统）
10.Keysight5500原子力显微镜（接触/轻敲模式切换）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质