单晶体变形检测摘要:检测项目1.位错密度检测:测量范围10-10⁸cm⁻,精度5%2.晶格畸变率分析:Δd/d≤0.15%,分辨率0.001%3.滑移带间距测量:范围0.1-50μm,SEM成像精度0.02μm4.残余应力分布:测试深度0-200μm,空间分辨率10μm5.弹性模量偏差:动态法测量误差≤1.5%,频率范围20Hz-1MHz检测范围1.半导体单晶材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)等晶圆2.光学功能晶体:蓝宝石(Al₂O₃)、氟化钙(CaF₂)基片3.超导单晶材料:钇钡铜氧(YBCO)、铋系(BSCCO)晶体4
参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
1.位错密度检测:测量范围10-10⁸cm⁻,精度5%
2.晶格畸变率分析:Δd/d≤0.15%,分辨率0.001%
3.滑移带间距测量:范围0.1-50μm,SEM成像精度0.02μm
4.残余应力分布:测试深度0-200μm,空间分辨率10μm
5.弹性模量偏差:动态法测量误差≤1.5%,频率范围20Hz-1MHz
1.半导体单晶材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)等晶圆
2.光学功能晶体:蓝宝石(Al₂O₃)、氟化钙(CaF₂)基片
3.超导单晶材料:钇钡铜氧(YBCO)、铋系(BSCCO)晶体
4.高温合金单晶:镍基CMSX-4系列涡轮叶片材料
5.压电晶体材料:石英(α-SiO₂)、铌酸锂(LiNbO₃)振子
1.X射线衍射法:依据ASTME1426-14与GB/T8362-2018标准
2.电子背散射衍射(EBSD):符合ISO24173:2020及GB/T41076-2021
3.纳米压痕技术:执行ISO14577-1:2015与GB/T31228-2014规范
4.激光超声检测:参照ASTME2580-17标准实施
5.同步辐射白光形貌术:采用ISO/TS21383:2021方法体系
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备高分辨率HyPix-3000探测器
2.FEINovaNanoSEM450场发射扫描电镜:集成EDAXEBSD系统
3.KeysightG200纳米压痕仪:最大载荷500mN,位移分辨率0.01nm
4.BrukerD8DISCOVER微区衍射系统:最小光斑尺寸50μm
5.OlympusOmniscanMX2超声探伤仪:频率范围0.5-30MHz
6.MalvernPanalyticalEmpyrean多晶衍射仪:配备高温附件(1600℃)
7.ZEISSCrossbeam550聚焦离子束系统:定位精度10nm
8.ShimadzuAG-Xplus电子万能试验机:载荷容量100kN
9.PolytecMSA-600激光测振仪:频响范围DC-25MHz
10.ThermoFisherHeliosG4PFIB双束电镜:三维重构功能
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
中析单晶体变形检测 - 由于篇幅有限,仅展示部分项目,如需咨询详细检测项目,请咨询在线工程师