栅氧化物检测
栅氧化物检测摘要：检测项目1.氧化物厚度测量：精度0.1nm（5-200nm范围）2.界面态密度分析：灵敏度110⁹cm⁻eV⁻3.击穿电压测试：DC0-1000V（步长0.1V）4.漏电流特性：分辨率1fA@25℃5.高温偏压稳定性：125℃/10V持续168小时检测范围1.CMOS工艺栅氧化层（SiO₂/SiON）2.高k金属栅堆栈（HfO₂/Al₂O₃）3.功率器件场氧结构（LOCOS/STI）4.存储单元隧穿氧化层（ONO）5.III-V族化合物栅介质（Al₂O₃/GaAs）检测方法1.ASTMF1241-22椭偏
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
检测项目
1.氧化物厚度测量：精度0.1nm（5-200nm范围）
2.界面态密度分析：灵敏度110⁹cm⁻eV⁻
3.击穿电压测试：DC0-1000V（步长0.1V）
4.漏电流特性：分辨率1fA@25℃
5.高温偏压稳定性：125℃/10V持续168小时
检测范围
1.CMOS工艺栅氧化层（SiO₂/SiON）
2.高k金属栅堆栈（HfO₂/Al₂O₃）
3.功率器件场氧结构（LOCOS/STI）
4.存储单元隧穿氧化层（ONO）
5.III-V族化合物栅介质（Al₂O₃/GaAs）
检测方法
1.ASTMF1241-22椭偏法测量薄膜厚度
2.ISO14707:2021XPS界面化学分析
3.GB/T16525-2017介质击穿电压测试规程
4.JESD35-A时变介质击穿(TDDB)测试
5.GB/T35011-2018半导体器件热载流子注入试验
检测设备
1.J.A.WoollamM-2000D光谱椭偏仪（0.7-6.5eV）
2.KeysightB1500A半导体参数分析仪（1μV-100V）
3.ThermoScientificK-AlphaXPS表面分析系统
4.OxfordInstrumentsPlasmaPro100刻蚀系统
5.CascadeSummit12000探针台（12英寸晶圆）
6.Agilent4294A精密阻抗分析仪（40Hz-110MHz）
7.Keithley4200A-SCS参数测试系统
8.HitachiSU9000FE-SEM显微结构分析仪
9.BrukerDimensionIcon原子力显微镜
10.ESPECT3-3844L高加速寿命试验箱
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
中析仪器 资质
中析栅氧化物检测 - 由于篇幅有限，仅展示部分项目，如需咨询详细检测项目，请咨询在线工程师
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