脉冲退火检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.退火温度范围：800-1400℃（5℃精度）
2.脉冲频率特性：1-100kHz（0.5%测量误差）
3.升温速率梯度：50-200℃/s（分段可调）
4.表面粗糙度变化：Ra0.01-1.6μm（白光干涉仪测量）
5.晶粒尺寸分布：10nm-50μm（EBSD分析）
6.热应力残留值：≤200MPa（XRD法测定）
7.载流子迁移率：10^2-10^5cm/(Vs)（霍尔效应测试）

检测范围

1.金属合金：钛合金TC4/TA15、镍基高温合金GH4169等
2.半导体材料：SiC晶圆（4H/6H型）、GaN外延片
3.陶瓷材料：Al₂O₃基板（96%/99%纯度）、ZrO₂结构件
4.高分子材料：PEEK植入物、PI柔性基膜
5.磁性材料：NdFeB永磁体、FeSiB非晶带材
6.复合涂层：DLC镀层（2-10μm）、CrN硬质涂层

检测方法

1.ASTME10-22《金属材料脉冲退火工艺评定标准》
2.ISO21747:2018《半导体器件热加工过程控制规范》
3.GB/T4341.2-2020《电子材料热处理试验方法》
4.ASTMF1394-19《硅基材料快速热退火测试规程》
5.GB/T38715-2020《高强铝合金热处理质量检验标准》
6.ISO18558:2017《非晶合金带材退火性能测试指南》

检测设备

1.ThermoScientificPulseAnnealerPro-X：多气氛脉冲退火系统（最高1600℃）
2.KLASurfscanSP3：表面缺陷检测仪（0.12μm灵敏度）
3.BrukerD8ADVANCEXRD：残余应力分析仪（1MPa精度）
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD：电子背散射衍射系统（1nm分辨率）
5.KeysightB1500A：半导体参数分析仪（0.1fA电流精度）
6.ZEISSCrossbeam550：FIB-SEM联用系统（1nm成像分辨率）
7.NetzschSTA449F5：同步热分析仪（μN级力传感器）
8.Agilent5500AFM：原子力显微镜（横向分辨率0.2nm）
9.MalvernPanalyticalEmpyrean：高分辨XRD系统（0.0001步进精度）
10.HoribaLabRAMHREvolution：拉曼光谱仪（532nm/785nm双激光源）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质