反向二极管检测

2025-05-23 关键词：反向二极管测试标准,反向二极管测试方法,反向二极管测试机构相关：

反向二极管检测摘要：检测项目1.反向击穿电压（VBR）：测试范围0-3000V1%，击穿电流阈值设定为1mA2.反向漏电流（IR）：测量精度0.1nA@25℃，测试电压为80%VBR3.结电容（Cj）：频率1MHz下测量，容值范围0.1pF-100nF2%4.反向恢复时间（trr）：脉冲宽度≥100ns，测试电流10mA-10A可调5.温度特性：-55℃至+175℃温控箱内测试VBR温度系数≤0.1%/℃检测范围1.硅基整流二极管（1N400x系列）2.锗材料检波二极管（1N60系列）3.肖特基二极管（BAT54系列）4.快

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.反向击穿电压（V_BR）：测试范围0-3000V1%，击穿电流阈值设定为1mA
2.反向漏电流（I_R）：测量精度0.1nA@25℃，测试电压为80%V_BR
3.结电容（C_j）：频率1MHz下测量，容值范围0.1pF-100nF2%
4.反向恢复时间（t_rr）：脉冲宽度≥100ns，测试电流10mA-10A可调
5.温度特性：-55℃至+175℃温控箱内测试V_BR温度系数≤0.1%/℃

检测范围

1.硅基整流二极管（1N400x系列）
2.锗材料检波二极管（1N60系列）
3.肖特基二极管（BAT54系列）
4.快恢复二极管（FR307系列）
5.TVS瞬态抑制二极管（P6KE系列）

检测方法

1.ASTMF1573：半导体器件反向偏置测试标准
2.IEC60747-5：分立器件电特性测量规范
3.ISO16750-2：汽车电子环境试验要求
4.GB/T6571-2018：半导体器件机械和气候试验方法
5.GB4936.1-2022：半导体分立器件测试程序

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：V_BR/I_R/C_j综合测试
2.TektronixDPO7254示波器：t_rr时间参数测量（带宽2.5GHz）
3.Chroma19032耐压测试仪：0-5kV绝缘性能验证
4.ESPECSH-642温控箱：-70℃至+180℃温度循环测试
5.AgilentE4980ALCR表：10Hz-2MHz频率下电容/阻抗分析
6.Keithley2636B源表：pA级漏电流精密测量
7.Fluke289真有效值万用表：导通电阻/压降验证
8.HIOKIPW3390功率分析仪：动态功耗特性测试
9.ThermoScientificCL24盐雾箱：抗腐蚀性能评估
10.OMRONZS-L激光位移计：封装形变监测（精度0.1μm）