阈值电压检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.阈值电压值（Vth）：测量器件导通临界点电压值范围0.1V至5V
2.温度系数（TCVth）：评估-55℃至+150℃温区内Vth漂移量
3.漏电流（Ioff）：测试关断状态下10nA至100μA级泄漏电流
4.击穿电压（BVdss）：测定器件耐压特性范围30V至1200V
5.动态响应时间（tr/tf）：捕捉纳秒级上升/下降沿时间参数

检测范围

1.硅基半导体材料：包括单晶硅、多晶硅及SOI晶圆
2.宽禁带半导体：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件
3.MOSFET/IGBT：平面栅/沟槽栅结构功率晶体管
4.TFT阵列：低温多晶硅/氧化物半导体薄膜晶体管
5.有机半导体：OLED显示驱动器件及柔性电子元件

检测方法

1.ASTMF617M-20：传输特性曲线法测定MOSFET阈值电压
2.ISO16700:2019：电容-电压扫描法表征界面态密度
3.GB/T4587-2021：三端器件静态参数测试通用规范
4.GB4937-2023：半导体分立器件热特性测试方法
5.JEDECJESD24-8：高压器件动态参数测试标准

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A高压大电流测试
2.Tektronix4200A-SCS参数分析仪：实现fA级超低电流测量精度
3.CascadeSummit12000探针台：支持300mm晶圆级参数提取
4.AgilentE5270B精密源表模块：集成8通道并行测试能力
5.Keithley2636B双通道源表：适用于有机半导体低频特性分析
6.FormFactorCM300xi-ULN探针卡：支持-196℃至+300℃极端温度测试
7.AdvantestT6391A高压测试单元：满足10kV级超高压器件需求
8.HiokiIM3590化学阻抗分析仪：用于介电层质量评估
9.ThermoStreamT-605环境箱：提供精确温湿度控制环境
10.OmicronBode100频响分析仪：执行10μHz至50MHz宽频C-V测试

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质