硅单晶抛光片检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.几何参数：厚度（0.5μm）、总厚度变化（TTV≤3μm）、局部厚度变化（LTV≤1.5μm）、翘曲度（≤20μm）
2.表面质量：表面粗糙度（Ra≤0.2nm）、划痕密度（≤5条/cm）、颗粒污染（≤0.1μm颗粒数/片）
3.晶体特性：晶向偏差（＜0.5）、位错密度（≤500/cm）、氧含量（10-18ppma）
4.电学性能：电阻率（0.001-100Ωcm）、少数载流子寿命（≥100μs）
5.洁净度指标：金属杂质浓度（Fe≤1E10atoms/cm,Cu≤5E9atoms/cm）

检测范围

1.半导体级抛光片：直径200mm/300mm晶圆，电阻率0.001-50Ωcm
2.太阳能级抛光片：厚度150-200μm，氧含量≤14ppma
3.重掺砷/硼抛光片：掺杂浓度1E19-1E21atoms/cm
4.低氧碳抛光片：氧含量≤12ppma,碳含量≤1E16atoms/cm
5.SOI专用抛光片：埋氧层厚度145-200nm,顶层硅均匀性2nm

检测方法

1.ASTMF533-15：几何尺寸测量规范
2.ISO14644-1:2015：洁净室颗粒污染测试
3.GB/T29505-2013：硅片表面缺陷检验方法
4.SEMIMF723-0707：电阻率四探针测试规程
5.GB/T1558-2021：硅中氧含量红外吸收测定法
6.ISO14707:2020：辉光放电质谱杂质分析
7.ASTMF1392-00(2021)：少数载流子寿命微波光电导衰减法

检测设备

1.KLA-TencorSurfscanSP3：激光散射表面缺陷扫描系统（0.12μm灵敏度）
2.ADEUltraGage9700：全自动几何参数测量仪（分辨率0.1μm）
3.ThermoScientificNicoletiS50：傅里叶红外光谱仪（氧碳分析精度0.3ppma）
4.FourDimensions280SI：四探针电阻率测试系统（量程0.0001-100Ωcm）
5.SemilabWT-2000：微波光电导少子寿命测试仪（动态范围50ns-10ms）
6.BrukerDimensionIcon：原子力显微镜（表面粗糙度测量精度0.01nm）
7.ThermoFisheriCAPRQ：ICP-MS金属杂质分析仪（检出限1E8atoms/cm）
8.HitachiSU5000：场发射扫描电镜（表面形貌分析@1nm分辨率）
9.HoribaGD-Profiler2：辉光放电质谱仪（全元素深度剖析）
10.NikonMM-400：金相显微镜（位错密度分析@500倍放大）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质