内部存储器检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.读写速度测试：连续读取速度≥550MB/s，随机写入IOPS≥80K（4KB块）
2.耐久性测试：编程/擦除循环次数≥3000次（TLCNAND），TBW≥150（1TBSSD）
3.温度适应性：工作温度-40℃~85℃，存储温度-55℃~125℃（JEDEC标准）
4.数据保持能力：85℃环境下数据保留≥1年（JESD22-A117）
5.电气特性：Vcc电压波动5%，功耗≤3.5W（待机≤0.5W）

检测范围

1.NAND闪存芯片：3DTLC/QLC结构，层数96L-232L
2.DRAM模块：DDR4/DDR5规格，频率2400MHz-6400MHz
3.固态硬盘（SSD）：SATA/NVMe协议，容量256GB-8TB
4.eMMC/UFS存储器：HS-G4/UFS3.1接口标准
5.NOR闪存：并行/串行接口，密度16Mb-2Gb

检测方法

1.耐久性测试：ASTMF2182/JESD218B标准循环测试法
2.信号完整性：ISO/IEC10373-6接触式IC卡测试规范
3.环境试验：GB/T2423.1-2008低温试验方法
4.静电防护：ANSI/ESDA/JEDECJS-001HBMESD测试
5.数据可靠性：GB/T35142-2017固态硬盘通用规范

检测设备

1.KeysightB1500A半导体分析仪：IV/CV特性曲线测量
2.TektronixDPO70000SX示波器：25GHz带宽信号完整性分析
3.ThermoStreamT-2900温度测试箱：-80℃~+225℃快速温变
4.AdvantestV93000SoC测试机：DDR5物理层参数验证
5.X-RayXTH225STCT系统：3DNAND结构无损成像
6.AnritsuMP1900A误码仪：PCIe4.0链路层协议测试
7.ESPECPL-3KPH恒温恒湿箱：95%RH湿度老化试验
8.Chroma8710电源模块：0.1%电压精度功耗测试
9.ULTRONESDA-2000静电放电模拟器：30kVHBM/CDM测试
10.CSTStudio电磁仿真平台：EMI/EMC预兼容性分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质