利盖二氏法检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.线宽分辨率：测量范围0.1-500μm，精度5nm（SEM辅助）
2.侧壁垂直度：角度偏差≤0.5，采用激光干涉仪测量
3.表面粗糙度：Ra值0.01-1.6μm（白光干涉仪）
4.层间对准精度：套刻误差≤50nm（光学对准系统）
5.深宽比：典型值10:1至100:1（X射线断层扫描）

检测范围

1.半导体光刻胶结构：SU-8、PMMA等光敏聚合物
2.金属微模具：镍、铜电铸成型件
3.MEMS传感器：加速度计/陀螺仪微结构
4.光学元件：衍射光栅/微透镜阵列
5.生物芯片：微流控通道及反应腔体

检测方法

ASTME2867-18《X射线光刻工艺表征标准》
ISO14606:2015《同步辐射光刻工艺规范》
GB/T30214-2013《微机电系统制造工艺检测通则》
GB/T35023-2018《LIGA技术加工产品几何量规范》
VDI/VDE2630Part3《微型模具几何量测量指南》

检测设备

1.ZeissSigma500场发射扫描电镜（SEM）：分辨率0.8nm@15kV
2.BrukerContourGT-X3白光干涉仪：垂直分辨率0.01nm
3.KeyenceLM-3000激光共聚焦显微镜：Z轴重复精度10nm
4.NikonMM-400测量显微镜：最大放大倍率1500X
5.Agilent5500原子力显微镜（AFM）：扫描范围9090μm
6.MalvernPanalyticalEmpyreanX射线衍射仪：角度重复性0.0001
7.MitutoyoCMM-CrystaApexS坐标测量机：空间精度(1.9+L/250)μm
8.OxfordInstrumentsX-MaxNSDD能谱仪：元素分析范围B-U
9.HamamatsuX射线CT系统：最小体素尺寸0.5μm
10.KLA-TencorP-17表面轮廓仪：台阶高度测量精度0.3nm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质