晶菜检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.晶体结构分析：X射线衍射（XRD）全谱扫描（2θ范围5-90），晶格常数偏差≤0.002

2.元素成分检测：X射线荧光光谱（XRF）定量分析（Na-U元素检出限0.01%），ICP-MS痕量元素检测（ppb级精度）

3.位错密度测定：化学腐蚀法（KOH:NaOH=1:3混合液），腐蚀时间305s/μm

4.表面粗糙度测试：白光干涉仪测量（Ra≤0.5nmRMS），扫描面积11mm

5.热稳定性评估：TG-DSC同步热分析（RT-1500℃，升温速率10℃/min）

检测范围

1.半导体单晶材料：单晶硅（φ300mm）、砷化镓（4英寸）、碳化硅（6H/4H型）

2.光学晶体制品：氟化钙透镜（Φ50mm）、铌酸锂调制器（Z切型）、蓝宝石窗口片

3.压电晶体元件：石英谐振器（AT切角3515′5′）、钽酸锂换能器

4.人工合成晶体：CVD金刚石膜（厚度100-500μm）、水热法合成α-Al₂O₃

5.晶体加工耗材：金刚石线锯（Φ0.15mm）、CMP抛光液（SiO₂粒径50nm）

检测方法

ASTME915-16残余应力X射线衍射测试标准

ISO14707:2015辉光放电光谱表面分析通则

GB/T16594-2008微米级长度扫描电镜测量方法

GB/T33324-2016激光散射法粒度分布测定

ISO20565-3:2008耐火材料XRF化学分析规程

检测设备

1.PANalyticalX'Pert3PowderX射线衍射仪：配备Cu靶光源（λ=1.5406），测角仪精度0.0001

2.HitachiSU5000场发射扫描电镜：分辨率1.0nm@15kV，配备EDS能谱探头

3.BrukerD8DISCOVERX射线应力分析仪：Ψ角扫描范围45，应力测量精度20MPa

4.PerkinElmerNexION350DICP-MS：质量数范围3-300amu，检出限＜0.1ppt

5.ZygoNewView9000白光干涉仪：垂直分辨率0.1nm，最大扫描面积1010mm

6.NetzschSTA449F3同步热分析仪：温度精度0.1℃，TG分辨率0.1μg

7.MalvernMastersizer3000激光粒度仪：测量范围0.01-3500μm，重复性误差＜0.5%

8.AgilentCary7000紫外可见分光光度计：波长范围175-1800nm，光度精度0.0003A

9.KeysightE4990A阻抗分析仪：频率范围20Hz-120MHz，基本精度0.045%

10.MitutoyoSJ-410表面粗糙度仪：行程长度17.5mm，Z轴分辨率0.01μm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质