芯片型号检测摘要:检测项目1.电气参数:包括工作电压(5%精度)、静态电流(0.1μA分辨率)、动态功耗(10mW~50W量程)及信号传输延迟(ps级测量)。2.物理特性:芯片尺寸(0.01mm公差)、引脚间距(0.4mm~1.27mm范围)、焊球共面性(≤50μm偏差)及封装厚度(0.2mm~5mm)。3.温度性能:工作温度范围(-40℃~+150℃)、存储极限温度(-65℃~+175℃)及热阻参数(θJA值≤30℃/W)。4.封装完整性:气密性测试(氦质谱检漏≤110⁻⁸Pam/s)、抗湿等级(MSL1~3级判定)及机
参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
1.电气参数:包括工作电压(5%精度)、静态电流(0.1μA分辨率)、动态功耗(10mW~50W量程)及信号传输延迟(ps级测量)。
2.物理特性:芯片尺寸(0.01mm公差)、引脚间距(0.4mm~1.27mm范围)、焊球共面性(≤50μm偏差)及封装厚度(0.2mm~5mm)。
3.温度性能:工作温度范围(-40℃~+150℃)、存储极限温度(-65℃~+175℃)及热阻参数(θJA值≤30℃/W)。
4.封装完整性:气密性测试(氦质谱检漏≤110⁻⁸Pam/s)、抗湿等级(MSL1~3级判定)及机械冲击(1500G/0.5ms)。
5.功能验证:逻辑门延迟(100ps级测量)、存储单元读写周期(10ns精度)及IP核兼容性(JTAG边界扫描)。
1.数字逻辑芯片:包括CPU、GPU及FPGA等处理器件
2.模拟信号芯片:涵盖ADC/DAC转换器、运算放大器
3.存储器件:DRAM、NANDFlash及EEPROM系列
4.微控制器:ARM架构MCU及RISC-V内核芯片
5.电源管理IC:DC-DC转换器、LDO稳压器及PMU模块
1.ASTMF1241-2018半导体器件电性能测试标准
2.ISO16750-4:2010道路车辆环境条件试验规范
3.GB/T4587-1994半导体分立器件测试方法
4.JEDECJESD22-A104F温度循环试验标准
5.GB/T4937-2012半导体器件机械和气候试验方法
1.KeysightB1500A半导体分析仪:支持IV/CV曲线扫描及超低电流测量
2.ThermoStreamT-2600温度冲击试验箱:-80℃~+225℃快速温变系统
3.OlympusDSX1000数码显微镜:20nm分辨率三维形貌测量
4.AdvantestT2000自动化测试机:数字/模拟混合信号综合测试平台
5.NordsonDAGE4000推拉力计:50g~500kg焊接强度测试
6.AgilentN6705B直流电源分析仪:多通道动态功耗分析模块
7.ESPECSH-261环境试验箱:双85试验(85℃/85%RH)专用设备
8.CohuCM300xi探针台:300mm晶圆级参数测试系统
9.X-rayXTH225ST微焦点检测仪:20μm分辨率封装内部结构成像
10.TektronixDPO73304S示波器:33GHz带宽高速信号采集分析
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
中析芯片型号检测 - 由于篇幅有限,仅展示部分项目,如需咨询详细检测项目,请咨询在线工程师