控制存贮器检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.读写速度测试：测量顺序读写（50-800MB/s）与随机读写（10K-1MIOPS）性能指标

2.数据保持时间验证：在85℃高温环境下评估数据保留能力（≥10年）

3.耐久性测试：记录P/E循环次数（SLC≥10万次/TLC≥3千次）直至失效

4.温度循环试验：-40℃至125℃范围内进行1000次热冲击测试

5.电气参数分析：工作电压（1.8V/3.3V5%）、静态电流（≤50μA）、信号完整性（眼图张开度≥70%）

检测范围

1.NAND闪存芯片：包括SLC/MLC/TLC/QLC架构的2D/3D存储单元

2.DRAM模块：DDR4/DDR5内存条及LPDDR嵌入式存储单元

3.SSD控制器芯片：支持NVMe/SATA协议的存储主控器件

4.EEPROM存储器：汽车电子用1Kbit-4Mbit系列产品

5.FRAM存储模块：工业控制用非易失性铁电存储器

检测方法

1.数据保持能力测试：依据JEDECJESD22-A117标准进行高温加速老化试验

2.耐久性评估：执行JEDECJESD218规范的温度-电压复合应力测试

3.信号完整性分析：采用GB/T26248-2010规定的眼图测试方法

4.环境适应性试验：参照IEC60068-2-14进行温度循环冲击测试

5.静电防护检测：依据ANSI/ESDA/JEDECJS-001实施HBM模型ESD测试

检测设备

1.KeysightB1500A半导体分析仪：支持μA级漏电流测量和IV/CV特性分析

2.AdvantestT5503HS测试系统：实现DDR5-6400高速信号完整性验证

3.ThermoStreamT-2600温度冲击试验箱：提供-65℃~+200℃快速温变环境

4.Chroma7123闪存测试机：支持8通道并行编程及坏块统计分析

5.TektronixDPO73304S示波器：36GHz带宽用于PCIe4.0信号眼图捕获

6.ESPECEHS-211M恒温恒湿箱：执行85℃/85%RH双85加速老化试验

7.XcerraSLT-4500系统级测试机：完成SSD端到端数据校验及延迟测量

8.HANWAHED-W5100静电发生器：提供30kVHBM/MM/CDM模式ESD测试

9.NIPXIe-4139源测量单元：实现nA级静态电流精确监测

10.FlukeTi480红外热像仪：进行存储芯片工作温度分布成像分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质