生长结检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.位错密度测量：通过腐蚀坑法测定(10-10⁷cm⁻)
2.晶格常数测定：X射线衍射法精度0.0001nm
3.载流子浓度测试：霍尔效应仪测量(10-10⁹cm⁻)
4.缺陷分布成像：阴极荧光显微镜分辨率≤50nm
5.热应力分析：红外热像仪测温范围-20~1500℃

检测范围

1.半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)
2.光学功能晶体：铌酸锂(LiNbO₃)、蓝宝石(Al₂O₃)
3.金属单晶材料：铜(Cu)、镍基高温合金
4.超导晶体材料：钇钡铜氧(YBCO)、二硼化镁(MgB₂)
5.光伏材料：碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)

检测方法

1.ASTMF47-2018硅单晶位错密度测试规程
2.ISO14707:2015辉光放电质谱成分分析
3.GB/T1551-2021硅单晶电阻率测定方法
4.ISO21466:2019X射线形貌术缺陷表征
5.GB/T35030-2018碳化硅单晶X射线双晶衍射测试

检测设备

1.JEOLJSM-7900F场发射扫描电镜：二次电子分辨率0.8nm
2.BrukerD8AdvanceX射线衍射仪：测角仪精度0.0001
3.KeysightB1500A半导体参数分析仪：电流分辨率0.1fA
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：空间分辨率3nm
5.ThermoScientificHeliosG4UX聚焦离子束：束流稳定性0.1%
6.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：光谱分辨率0.35cm⁻
7.KLASurfscanSP7无接触面型仪：表面粗糙度测量精度0.01
8.Agilent5500原子力显微镜：Z轴分辨率0.05nm
9.FEITecnaiG2F20透射电镜：点分辨率0.19nm
10.VeecoDimensionIcon扫描探针显微镜：最大扫描范围90μm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质