拉单晶检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 晶体结构参数：采用X射线衍射法测定晶格常数（误差≤0.01nm）及晶面间距（精度±0.002Å）。

2. 位错密度分析：通过化学腐蚀法或电子显微镜观测（分辨率≤1×10⁴/cm²）。

3. 杂质浓度检测：二次离子质谱法（SIMS）测量B/P/As等掺杂元素（检出限≤1×10¹⁴ atoms/cm³）。

4. 电阻率均匀性：四探针法测试径向电阻率偏差（允许波动±5%）。

5. 氧碳含量测定：傅里叶红外光谱法（FTIR）分析氧含量（精度±0.05ppma）、碳含量（精度±0.03ppma）。

检测范围

1. 半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等直径≤300mm晶棒

2. 激光晶体：掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)、钛宝石(Ti:Al₂O₃)等光学级晶体

3. 高温合金单晶：镍基CMSX-4系列涡轮叶片材料

4. 压电晶体：铌酸锂(LiNbO₃)、钽酸锂(LiTaO₃)等声表面波器件基材

5. 闪烁晶体：碘化钠(NaI)、锗酸铋(BGO)等辐射探测晶体

检测方法

1. ASTM E112-13 晶粒度测定标准

2. ISO 14707:2015 辉光放电质谱表面分析

3. GB/T 1555-2021 半导体单晶晶向测试方法

4. ASTM F723-88(2020) 硅片电阻率四探针测量规程

5. GB/T 14144-2022 硅单晶中氧碳含量的红外吸收测量

6. ISO 14606:2015 电子背散射衍射(EBSD)晶体取向分析

检测设备

1. PANalytical X'Pert3 MRD X射线衍射仪：配备高分辨率测角器（精度0.0001°）

2. JEOL JXA-8530F Plus电子探针显微分析仪：波长色散谱(WDS)元素分析

3. Thermo Scientific Prisma E SEM扫描电镜：EBSD系统取向成像（空间分辨率10nm）

4. Agilent 5500 AFM原子力显微镜：表面粗糙度测量（垂直分辨率0.1nm）

5. Bruker Vertex 80v FTIR光谱仪：低温恒温附件（测试范围400-6000cm⁻¹）

6. Keithley 4200A-SCS参数分析仪：高阻测量模块（量程10⁶~10¹⁶Ω）

7. CAMECA IMS 7f-auto SIMS二次离子质谱仪：深度分辨率＜3nm

8. Oxford Instruments PlasmaPro 100 GD-MS辉光放电质谱仪：检出限达ppt级

9. Leica DM2700M偏光显微镜：配备Clemex图像分析系统（放大倍数50~1000×）

10. Four Dimensions 4DSP电阻率测绘系统：四探针自动扫描（测试速度200点/小时）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质