高纯锑检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 主成分纯度：锑含量≥99.999%（5N级）至99.9999%（6N级）定量分析

2. 痕量金属杂质：Fe、Cu、Pb、Ni等13种元素≤0.1ppm（ICP-MS法）

3. 非金属杂质：氧含量≤50ppm（惰性熔融红外法），硫含量≤20ppm（燃烧碘量法）

4. 晶体结构缺陷：X射线衍射半峰宽≤0.02°（XRD法）

5. 表面污染物：颗粒物尺寸≥0.3μm计数≤100个/cm²（激光粒度仪）

检测范围

1. 电子级锑锭（半导体掺杂源）

2. 锑化镓单晶衬底（红外探测器基材）

3. 高纯锑靶材（磁控溅射镀膜原料）

4. 锑系阻燃母粒（工程塑料添加剂）

5. 核级锑铍合金（中子吸收材料）

检测方法

1. ASTM E1217-21《辉光放电质谱法测定高纯金属杂质》

2. ISO 18114:2021《二次离子质谱法表面污染分析》

3. GB/T 4324.28-2020《锑化学分析方法 痕量元素测定》

4. GB/T 26012-2019《高纯金属氧含量测定 脉冲加热法》

5. ISO 14706:2014《表面硅片表面金属污染测定》

检测设备

1. Thermo Fisher ELEMENT GD Plus：全反射辉光放电质谱仪，检出限达0.001ppb

2. Agilent 8900 ICP-QQQ：三重四极杆质谱系统，实现As/Se等干扰元素精准分离

3. Bruker D8 ADVANCE XRD：配备LYNXEYE XE探测器，角度分辨率0.0001°

4. LECO ONH836：脉冲加热氧氮氢分析仪，氧分析精度±0.05ppm

5. PerkinElmer NexION 5000：四极杆电感耦合等离子体质谱仪，质量范围3-300amu

6. Hitachi SU9000 FE-SEM：场发射扫描电镜搭配EDAX能谱仪，表面形貌与成分联测

7. Malvern Mastersizer 3000：激光粒度分析仪，测量范围0.01-3500μm

8. Horiba GD Profiler 2：射频辉光放电光谱仪，深度分辨率达1nm

9. Metrohm 884 Professional IC：离子色谱系统，阴离子检出限0.05μg/L

10. Keysight 7900 ICP-MS：配备ORS3碰撞反应池技术，消除多原子离子干扰

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质