化学汽相淀积检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 薄膜厚度：测量范围0.1nm-100μm，精度±0.5%，采用非接触式光学干涉法

2. 成分分析：元素含量检测（如Si、C、N等），误差≤0.1at%，配备EDS能谱仪

3. 表面粗糙度：Ra值测量范围0.1-100nm，原子力显微镜（AFM）扫描面积10×10μm²

4. 结晶取向：X射线衍射（XRD）分析晶面指数（hkl），角度分辨率0.001°

5. 密度与孔隙率：氦气比重法测定密度偏差±0.02g/cm³，SEM图像分析孔隙率≥0.1%

检测范围

1. 半导体材料：氮化硅(Si3N4)绝缘层、多晶硅栅极镀层

2. 金属涂层：钨(W)互连层、钛(Ti)阻挡层

3. 陶瓷涂层：碳化硅(SiC)耐磨层、氧化铝(Al2O3)热障涂层

4. 光学薄膜：二氧化硅(SiO2)/五氧化二钽(Ta2O5)多层增透膜

5. 聚合物薄膜：聚对二甲苯(Parylene)封装涂层

检测方法

1. ASTM F76-08(2016)：CVD钨膜电学性能测试规范

2. ISO 14703:2022：薄膜厚度测量-椭圆偏振法实施指南

3. GB/T 16535-2008：化学气相沉积碳化硅涂层检验方法

4. ISO 21222:2020：CVD金刚石膜热导率测试规程

5. GB/T 38823-2020：硅外延层厚度测定红外反射法

6. ASTM E2865-12(2020)：CVD涂层残余应力X射线衍射测定法

检测设备

1. J.A. Woollam M-2000UI型光谱椭偏仪：宽光谱(190-1700nm)膜厚测量系统

2. Bruker D8 ADVANCE型X射线衍射仪：配备LYNXEYE XE-T探测器，最小步进0.0001°

3. Keysight 5500型原子力显微镜：非接触模式分辨率0.1nm(Z轴)

4. Thermo Fisher Scios 2 DualBeam型聚焦离子束电镜：可实现10nm级截面制备与EDS联用

5. Agilent 4300手持式FTIR光谱仪：支持2.5-25μm波段薄膜成分快速分析

6. KLA Tencor P-7型表面轮廓仪：12英寸晶圆级台阶高度测量重复性0.1Å

7. Netzsch LFA 467 HyperFlash型激光导热仪：测量范围0.1-2000W/(m·K)

8. Oxford Instruments PlasmaPro 100型ICP-OES：检出限达ppb级金属杂质分析

9. Hitachi SU5000型场发射电镜：搭配Bruker Quantax EDS实现1nm分辨率成分成像

10. Veeco DektakXT型接触式轮廓仪：最大扫描长度55mm，垂直分辨率0.1Å

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质