离子轰击检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.表面溅射率测定：测量范围0.1-10nm/min，精度5%

2.离子能量分布分析：能量分辨率≤0.5eV@1keV

3.元素深度剖面测试：探测深度0-10μm，深度分辨率3nm

4.界面扩散系数计算：温度范围20-800℃，误差0.05eV

5.晶格损伤评估：缺陷密度检测限110⁴cm⁻

检测范围

1.半导体材料：硅基芯片的栅极氧化层厚度与界面态密度分析

2.金属镀层：航空钛合金表面AlCrN涂层的元素梯度分布测定

3.光学薄膜：ITO导电膜中In/Sn原子比及氧空位浓度检测

4.高分子材料：医用聚醚醚酮表面改性层的化学态演变研究

5.陶瓷材料：氮化硅基板表面金属化层的结合强度评估

检测方法

1.ASTME1127-20：二次离子质谱法测定溅射产额标准规程

2.ISO18118-1:2022：表面化学分析-俄歇电子能谱定量方法

3.GB/T17359-2023：微束分析-电子探针显微分析通则

4.ASTMF1710-08(2020)：离子束溅射深度剖析标准指南

5.GB/T35033-2018：纳米薄膜厚度测量方法（辉光放电质谱法）

检测设备

1.PHI700Xi型飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）：实现三维成分成像与分子结构解析

2.ThermoScientificNexsaG2X射线光电子能谱仪（XPS）：化学态分析结合Ar+溅射深度剖析

3.CamecaIMS7f-auto磁式二次离子质谱仪：ppb级痕量元素深度分布测量

4.OxfordInstrumentsINCAx-actSDD能谱仪（EDS）：配合FIB实现微区成分分析

5.HitachiIM4000Plus氩离子抛光仪：制备无损伤截面样品

6.KratosAXISSupra+成像XPS系统：空间分辨率<3μm的化学态分布表征

7.JEOLJIB-4700F聚焦离子束系统（FIB）：纳米级定位截面制备与TEM样品加工

8.BrukerDimensionIcon原子力显微镜（AFM）：表面形貌与电学特性同步测量

9.SPECSPHOIBOS150半球型能量分析器：高分辨俄歇电子能谱采集

10.Ulvac-PHIVersaProbeIV扫描XPS微探针：10μm空间分辨的深度剖析能力

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质