可关断可控硅组件检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.断态重复峰值电压（V_DRM）：测试范围3kV-8kV，漏电流≤10mA

2.通态电流临界上升率（di/dt）：验证50A/μs-200A/μs工况下的响应特性

3.门极触发电流（I_GT）：测量范围50mA-500mA@25℃/125℃双温区

4.关断时间（t_q）：记录20μs-100μs区间内阳极电流下降至10%的时间

5.热阻测试（R_th(j-c)）：测量结壳热阻值≤0.25℃/W@稳态功耗200W

检测范围

1.硅基GTO组件：电压等级3kV/4.5kV/6kV系列

2.碳化硅混合型GTO模块：耐压≥10kV的超高压器件

3.平板压接式封装组件：直径76mm/100mm标准规格

4.逆导型GTO晶闸管：集成二极管的反并联结构器件

5.高频脉冲应用GTO：工作频率≥1kHz的特殊设计型号

检测方法

1.IEC60747-6：半导体器件测试基本规范

2.GB/T15291-2015：半导体分立器件试验方法

3.ASTMF1241：功率半导体热特性测试标准

4.ISO16750-2：汽车电子环境适应性试验要求

5.JESD22-A108F：电子器件温度循环测试规程

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持6kV/1500A脉冲测试

2.TektronixTCP303电流探头：带宽15MHz/量程50A

3.Chroma19032耐压测试仪：输出0-10kVAC/DC可调

4.FLIRA655sc红外热像仪：测温精度1℃@-40℃~1500℃

5.ESPECPL-3K环境试验箱：温度范围-70℃~+180℃

6.HiokiPW3390功率分析仪：基本精度0.06%@50Hz/60Hz

7.Agilent34970A数据采集器：支持120通道同步采样

8.ThermoScientificCL24热阻测试系统：符合JEDEC51-14标准

9.HBMGenesisHighSpeed数采系统：采样率1MS/s/16bit精度

10.SchleifringHS200动态测试平台：旋转接触电阻≤5mΩ

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质