晶格条纹检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.晶面间距测量：分辨率≤0.02nm，测量范围0.1-0.5nm

2.晶格取向偏差分析：角度精度0.1，偏差范围0.5

3.缺陷密度评估：缺陷识别尺寸≥0.3nm，统计误差≤5%

4.晶体相变表征：相变温度范围-196C~1200C

5.应力应变分布检测：应变分辨率≤0.1%，空间分辨率≤2nm

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)单晶

2.金属及合金：铝合金(Al6061)、钛合金(Ti-6Al-4V)、高温镍基合金

3.陶瓷材料：氧化铝(Al₂O₃)、氧化锆(ZrO₂)及压电陶瓷

4.纳米颗粒：金纳米颗粒(AuNPs)、四氧化三铁(Fe₃O₄)量子点

5.二维材料：石墨烯、二硫化钼(MoS₂)、六方氮化硼(h-BN)

检测方法

1.ASTME766:SEM图像校准规范

2.ISO25498:TEM选区电子衍射(SAED)分析方法

3.GB/T17359:能谱仪(EDS)定量分析通则

4.ISO16700:场发射扫描电镜(FE-SEM)操作规范

5.GB/T23414:电子背散射衍射(EBSD)晶体学分析

6.ASTMF1877:高分辨TEM晶格成像标准

检测设备

1.FEITecnaiG2F20TEM：点分辨率0.24nm，配备Gatan成像滤波系统

2.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：信息分辨率0.08nm

3.ZeissSigma500场发射SEM：二次电子分辨率0.6nm@15kV

4.BrukerQuantaxEDS系统：能量分辨率129eV@MnKα

5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器：角分辨率0.1

6.GatanK3-IS相机：16位动态范围，支持4K4K成像

7.HitachiHF5000冷场发射TEM：加速电压200kV

8.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM：定位精度5nm

9.JEOLJEM-2800STEM：探针电流0.1pA-100nA连续可调

10.BrukerDimensionIcon原子力显微镜(AFM)：Z轴噪声<0.05nm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质