二进制位密度检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

位错误率（BER）：测量单位时间内错误比特占比，阈值≤1E-12

存储单元均匀性：扫描分析单元尺寸偏差，允许波动范围±3%

信号噪声比（SNR）：量化有效信号与背景噪声强度比，基准值≥30dB

写入/擦除耐久度：循环测试次数≥1E6次后性能衰减≤5%

热稳定性：高温85℃环境下保持时间≥1000小时无数据丢失

检测范围

半导体晶圆：12英寸硅基晶圆及III-V族化合物晶圆

磁性存储介质：垂直磁记录硬盘、磁光混合存储薄膜

光存储介质：蓝光光盘、全息存储玻璃基板

集成电路芯片：3D NAND闪存芯片、MRAM存储器

量子比特器件：超导量子芯片拓扑结构表面分析

检测方法

ASTM F1241-22：半导体存储器单元电学特性测试规范

ISO/IEC 29112:2020：光存储介质位密度验证方法

GB/T 26248-2021：磁记录介质物理性能测试通则

IEC 62679-3-1：柔性电子器件存储特性评估标准

GB/T 36450.4-2018：闪存芯片可靠性试验方法

检测设备

Keysight B1500A半导体分析仪：支持pA级电流精度测量与高频信号响应分析

Veeco Dimension Icon原子力显微镜：实现5nm空间分辨率表面形貌扫描

Oxford Instruments NanoAnalysis EDS：执行元素分布与晶体结构同步表征

Advantest T2000测试系统：完成128通道并行存储器功能验证

Agilent N9020B信号分析仪：支持40GHz带宽信号完整性测试

Thermo Fisher Helios G4 UXe双束电镜：提供亚纳米级截面制备与成像能力

Bruker Dimension XR扫描探针平台：实现磁畴结构与电学特性原位关联分析

Anritsu MP1900A误码率测试仪：支持28Gbps高速信号BER测量

Cascade Summit 12000探针台：满足300mm晶圆全自动参数测试需求

Hitachi HF5000透射电镜：执行原子级存储界面缺陷观测与分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质